基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的LED芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201120089331.9

申请日：

2011-03-30

公开(公告)号：

CN202004040U

公开(公告)日：

2011-10-05

发明(设计)人：

杜晓晴钟广明陈伟民刘显明

申请人：

申请人地址：

400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号

IPC主分类号：

H01L3320

IPC分类号：

H01L3302 H01L3312

代理机构：

重庆博凯知识产权代理有限公司 50212

代理人：

张先芸

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-10-05	授权	授权
2015-05-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101611002124 IPC(主分类):H01L 33/20 专利号:ZL2011200893319 申请日:20110330 授权公告日:20111005 终止日期:20140330

共 50 条

[1]

基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的倒装LED芯片 [P].

杜晓晴 ;

钟广明 ;

陈伟民 ;

刘显明 .

中国专利 :CN102157654A ,2011-08-17

[2]

基于双面凹孔衬底的透射式GaN光电阴极 [P].

杜晓晴 ;

童广 .

中国专利 :CN202167452U ,2012-03-14

[3]

一种具有组分渐变缓冲层的绿光LED结构 [P].

王智勇 ;

杨翠柏 ;

张杨 ;

杨光辉 .

中国专利 :CN104300060A ,2015-01-21

[4]

基于组分渐变缓冲层的透射式GaN紫外光电阴极 [P].

杜晓晴 ;

常本康 ;

钱芸生 ;

赵文伯 .

中国专利 :CN101866977A ,2010-10-20

[5]

一种基于硅基图形化衬底的复合缓冲层LED芯片 [P].

孙芳魁 ;

李青峰 ;

李助鹏 .

中国专利 :CN104241479A ,2014-12-24

[6]

基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物LED芯片 [P].

胡晓龙 ;

王洪 ;

蔡镇准 ;

齐赵毅 .

中国专利 :CN204946922U ,2016-01-06

[7]

无衬底LED芯片的封装方法及无衬底LED芯片 [P].

郭伟杰 .

中国专利 :CN105244423B ,2016-01-13

[8]

用于LED芯片的透明导电层及LED芯片 [P].

张卡 ;

曹丹丹 ;

康龙 ;

胡瑶 ;

董国庆 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN220753459U ,2024-04-09

[9]

高性能的LED图形优化衬底及LED芯片 [P].

李国强 ;

钟立义 ;

王海燕 ;

林志霆 ;

周仕忠 ;

乔田 ;

王凯诚 .

中国专利 :CN203983323U ,2014-12-03

[10]

一种LED芯片的图形化衬底及LED芯片 [P].

李国强 ;

王海燕 ;

周仕忠 ;

林志霆 .

中国专利 :CN202616280U ,2012-12-19

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