一种具有组分渐变缓冲层的绿光LED结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410535822.X

申请日：

2014-10-11

公开(公告)号：

CN104300060A

公开(公告)日：

2015-01-21

发明(设计)人：

王智勇杨翠柏张杨杨光辉

申请人：

申请人地址：

100124 北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司 11203

代理人：

沈波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101599222876 IPC(主分类):H01L 33/12 专利申请号:201410535822X 申请日:20141011
2018-11-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/12 申请公布日:20150121
2017-06-20	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101753930171 IPC(主分类):H01L 33/12 专利申请号:201410535822X 变更事项:申请人变更前:江苏华芯半导体科技有限公司变更后:华芯半导体科技有限公司变更事项:地址变更前:225500 江苏省泰州市姜堰区现代科技产业园(群东路南侧) 变更后:225500 江苏省泰州市姜堰区现代科技产业园(群东路南侧)
2015-01-21	公开	公开
2016-07-13	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101735376754 IPC(主分类):H01L 33/12 专利申请号:201410535822X 登记生效日:20160620 变更事项:申请人变更前权利人:北京工业大学变更后权利人:江苏华芯半导体科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:100124 北京市朝阳区平乐园100号变更后权利人:225500 江苏省泰州市姜堰区现代科技产业园(群东路南侧)

共 50 条

[1]

一种具有p型缓冲层的GaN基绿光LED结构及其生长方法 [P].

王智勇 ;

张杨 ;

杨翠柏 ;

杨光辉 .

中国专利 :CN104282812B ,2015-01-14

[2]

基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的LED芯片 [P].

杜晓晴 ;

钟广明 ;

陈伟民 ;

刘显明 .

中国专利 :CN202004040U ,2011-10-05

[3]

基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的倒装LED芯片 [P].

杜晓晴 ;

钟广明 ;

陈伟民 ;

刘显明 .

中国专利 :CN102157654A ,2011-08-17

[4]

一种绿光LED [P].

尹以安 ;

韦克俊 ;

莫淇予 ;

谢雅芳 .

中国专利 :CN119230675A ,2024-12-31

[5]

一种绿光LED [P].

尹以安 ;

韦克俊 ;

莫淇予 ;

谢雅芳 .

中国专利 :CN119230675B ,2025-10-21

[6]

一种GaN基绿光LED外延结构及其制作方法 [P].

马欢 ;

田艳红 ;

牛凤娟 .

中国专利 :CN104409591A ,2015-03-11

[7]

具有渐变In组分p型InGaN导电层的GaN基绿光LED外延结构及其制备方法 [P].

王洪 ;

徐明升 ;

周泉斌 .

中国专利 :CN107146836A ,2017-09-08

[8]

一种采用铝组分渐变电子阻挡层的LED结构 [P].

王成新 ;

王强 ;

徐现刚 ;

李树强 ;

曲爽 .

中国专利 :CN102820394B ,2012-12-12

[9]

基于组分渐变缓冲层的透射式GaN紫外光电阴极 [P].

杜晓晴 ;

常本康 ;

钱芸生 ;

赵文伯 .

中国专利 :CN101866977A ,2010-10-20

[10]

一种具有应变减少结构的量子阱绿光LED外延结构 [P].

贾志刚 ;

卢太平 ;

董海亮 ;

梁建 ;

马淑芳 ;

许并社 .

中国专利 :CN109065681A ,2018-12-21

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