一种具有p型缓冲层的GaN基绿光LED结构及其生长方法

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专利类型
发明
申请号
CN201410536347.8
申请日
2014-10-11
公开(公告)号
CN104282812B
公开(公告)日
2015-01-14
发明(设计)人
王智勇 张杨 杨翠柏 杨光辉
申请人
申请人地址
225500 江苏省泰州市姜堰区现代科技产业园(群东路南侧)
IPC主分类号
H01L3312
IPC分类号
H01L3300
代理机构
北京鸿元知识产权代理有限公司 11327
代理人
陈英俊
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
一种GaN基LED外延结构及其生长方法 [P]. 
罗绍军 ;
李鸿建 ;
艾常涛 ;
靳彩霞 ;
董志江 .
中国专利 :CN103337572A ,2013-10-02
[2]
一种具有组分渐变缓冲层的绿光LED结构 [P]. 
王智勇 ;
杨翠柏 ;
张杨 ;
杨光辉 .
中国专利 :CN104300060A ,2015-01-21
[3]
具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构 [P]. 
李鸿渐 ;
李盼盼 ;
李志聪 ;
孙一军 ;
王国宏 .
中国专利 :CN103199169A ,2013-07-10
[4]
具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构 [P]. 
李鸿渐 ;
李盼盼 ;
李志聪 ;
孙一军 ;
王国宏 .
中国专利 :CN203192831U ,2013-09-11
[5]
一种GaN基绿光LED外延结构及其制作方法 [P]. 
马欢 ;
田艳红 ;
牛凤娟 .
中国专利 :CN104409591A ,2015-03-11
[6]
一种LED外延底层结构及其生长方法 [P]. 
李毓锋 ;
马旺 ;
王成新 ;
刘永明 .
中国专利 :CN111725371B ,2020-09-29
[7]
一种以蓝宝石衬底为基板的GaN基LED多阶缓冲层生长方法 [P]. 
何成中 .
中国专利 :CN103811601B ,2014-05-21
[8]
绿光LED外延层结构及生长方法 [P]. 
刘炜 ;
赵德刚 ;
陈平 ;
刘宗顺 ;
朱建军 ;
江德生 .
中国专利 :CN104393132B ,2015-03-04
[9]
一种降低P型GaN层电阻率的LED外延结构及其生长方法 [P]. 
徐平 .
中国专利 :CN109449268A ,2019-03-08
[10]
一种GaN基LED的外延结构及其生长方法 [P]. 
罗绍军 ;
艾常涛 ;
靳彩霞 ;
董志江 .
中国专利 :CN103325902A ,2013-09-25