一种降低P型GaN层电阻率的LED外延结构及其生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811289199.9

申请日：

2018-10-31

公开(公告)号：

CN109449268A

公开(公告)日：

2019-03-08

发明(设计)人：

徐平

申请人：

申请人地址：

423038 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

H01L3312 H01L3306 H01L3300

代理机构：

长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214

代理人：

郑隽;吴婷

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-26	授权	授权
2019-04-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/32 申请日:20181031
2019-03-08	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有低电阻率P型层的LED外延结构及其生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN109461797B ,2019-03-12

[2]

一种GaN基LED外延结构及其生长方法 [P].

罗绍军 ;

李鸿建 ;

艾常涛 ;

靳彩霞 ;

董志江 .

中国专利 :CN103337572A ,2013-10-02

[3]

一种LED外延层及其生长方法 [P].

林传强 .

中国专利 :CN105957935A ,2016-09-21

[4]

一种具有p型缓冲层的GaN基绿光LED结构及其生长方法 [P].

王智勇 ;

张杨 ;

杨翠柏 ;

杨光辉 .

中国专利 :CN104282812B ,2015-01-14

[5]

一种GaN基LED的外延结构及其生长方法 [P].

罗绍军 ;

艾常涛 ;

靳彩霞 ;

董志江 .

中国专利 :CN103325902A ,2013-09-25

[6]

LED 外延结构及其生长方法 [P].

张宇 ;

赖穆人 .

中国专利 :CN103346226B ,2013-10-09

[7]

LED外延结构及其生长方法 [P].

张宇 ;

苗振林 ;

牛凤娟 .

中国专利 :CN104409590A ,2015-03-11

[8]

优化紫外LED发光层的外延结构及其生长方法 [P].

郭丽彬 ;

周长健 ;

程斌 ;

吴礼清 .

中国专利 :CN107316926A ,2017-11-03

[9]

一种LED外延底层结构及其生长方法 [P].

李毓锋 ;

马旺 ;

王成新 ;

刘永明 .

中国专利 :CN111725371B ,2020-09-29

[10]

一种LED外延结构及其生长方法 [P].

张宇 .

中国专利 :CN106384764A ,2017-02-08

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