一种LED外延底层结构及其生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910216879.6

申请日：

2019-03-21

公开(公告)号：

CN111725371B

公开(公告)日：

2020-09-29

发明(设计)人：

李毓锋马旺王成新刘永明

申请人：

申请人地址：

261061 山东省潍坊市市辖区高新区金马路9号

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

H01L3314 H01L3300

代理机构：

济南金迪知识产权代理有限公司 37219

代理人：

陈桂玲

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-03	授权	授权
2020-09-29	公开	公开
2020-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/32 申请日:20190321

共 50 条

[1]

一种改善晶体质量的GaN基LED外延底层生长方法 [P].

李毓锋 ;

马旺 ;

王成新 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN108630787A ,2018-10-09

[2]

一种LED外延结构生长方法 [P].

徐平 ;

季辉 ;

何鹏 .

中国专利 :CN109860345A ,2019-06-07

[3]

LED 外延结构及其生长方法 [P].

张宇 ;

赖穆人 .

中国专利 :CN103346226B ,2013-10-09

[4]

一种GaN基LED外延结构及其生长方法 [P].

罗绍军 ;

李鸿建 ;

艾常涛 ;

靳彩霞 ;

董志江 .

中国专利 :CN103337572A ,2013-10-02

[5]

一种UV LED外延结构及其生长方法 [P].

李志聪 ;

曹俊文 ;

戴俊 ;

王国宏 .

中国专利 :CN110518101A ,2019-11-29

[6]

一种氮化镓基LED外延片及其生长方法 [P].

高凡 ;

杨天鹏 ;

郭文平 ;

陈向东 ;

柴旗 ;

肖志国 .

中国专利 :CN101847673A ,2010-09-29

[7]

一种氮化镓基LED外延片及其生长方法 [P].

肖云飞 ;

舒辉 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN106410005B ,2017-02-15

[8]

紫光LED外延结构及其生长方法 [P].

吴礼清 ;

周长健 .

中国专利 :CN107316925A ,2017-11-03

[9]

一种LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

季辉 ;

何鹏 .

中国专利 :CN109860344B ,2019-06-07

[10]

一种LED外延结构生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN109411573B ,2019-03-01

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