一种LED外延量子阱生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910047651.9

申请日：

2019-01-18

公开(公告)号：

CN109860344B

公开(公告)日：

2019-06-07

发明(设计)人：

徐平季辉何鹏

申请人：

申请人地址：

423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306 H01L3312 H01L3314 H01L3332

代理机构：

北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603

代理人：

于淼

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20190118
2020-01-10	授权	授权
2019-06-07	公开	公开

共 50 条

[1]

LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

周孝维 .

中国专利 :CN112941490A ,2021-06-11

[2]

LED外延多量子阱层生长方法 [P].

徐平 ;

苗振林 .

中国专利 :CN112599647A ,2021-04-02

[3]

提升内量子效率的LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

夏玺华 .

中国专利 :CN113036005A ,2021-06-25

[4]

提升内量子效率的LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

夏玺华 .

中国专利 :CN113036005B ,2024-06-18

[5]

一种LED外延结构生长方法 [P].

徐平 ;

季辉 ;

何鹏 .

中国专利 :CN109860345A ,2019-06-07

[6]

一种LED外延多量子阱层生长方法 [P].

徐平 ;

胡耀武 ;

唐海马 .

中国专利 :CN112420884A ,2021-02-26

[7]

LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

夏玺华 .

中国专利 :CN112687770B ,2024-05-14

[8]

LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

夏玺华 .

中国专利 :CN112687770A ,2021-04-20

[9]

一种提高LED亮度的多量子阱层生长方法 [P].

李永 .

中国专利 :CN103022285A ,2013-04-03

[10]

一种降低量子阱位错密度的LED外延生长方法 [P].

林传强 .

中国专利 :CN111223971A ,2020-06-02

← 1 2 3 4 5 →