一种提高LED亮度的多量子阱层生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310008579.1

申请日：

2013-01-10

公开(公告)号：

CN103022285A

公开(公告)日：

2013-04-03

发明(设计)人：

李永

申请人：

申请人地址：

230012 安徽省合肥市新站区工业园内

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

C30B2940

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-23	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 登记生效日:20210310 变更事项:专利权人变更前权利人:合肥彩虹蓝光科技有限公司变更后权利人:宁波安芯美半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:230012 安徽省合肥市新站区工业园内变更后权利人:315336 浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼110-7室
2013-04-03	公开	公开
2013-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101448955445 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2013100085791 申请日:20130110
2015-02-04	授权	授权

共 50 条

[1]

LED外延多量子阱层生长方法 [P].

徐平 ;

苗振林 .

中国专利 :CN112599647A ,2021-04-02

[2]

一种LED外延多量子阱层生长方法 [P].

徐平 ;

胡耀武 ;

唐海马 .

中国专利 :CN112420884A ,2021-02-26

[3]

一种提升发光效率的LED多量子阱层生长方法 [P].

徐平 ;

龚彬彬 ;

周孝维 ;

胡耀武 .

中国专利 :CN111952418A ,2020-11-17

[4]

microLED多量子阱层生长方法 [P].

白航空 .

中国专利 :CN107833953A ,2018-03-23

[5]

一种提升晶体质量的LED多量子阱层生长方法 [P].

徐平 ;

谢鹏杰 ;

刘康 .

中国专利 :CN111628056A ,2020-09-04

[6]

LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

周孝维 .

中国专利 :CN112941490A ,2021-06-11

[7]

一种LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

季辉 ;

何鹏 .

中国专利 :CN109860344B ,2019-06-07

[8]

一种外延层、LED芯片及多量子阱层生长方法 [P].

孙威威 .

中国专利 :CN117913189A ,2024-04-19

[9]

提升内量子效率的LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

夏玺华 .

中国专利 :CN113036005A ,2021-06-25

[10]

提升内量子效率的LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

夏玺华 .

中国专利 :CN113036005B ,2024-06-18

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