提升内量子效率的LED外延量子阱生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110226018.3

申请日：

2021-03-01

公开(公告)号：

CN113036005B

公开(公告)日：

2024-06-18

发明(设计)人：

徐平夏玺华

申请人：

湘能华磊光电股份有限公司

申请人地址：

423038 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园

IPC主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/06 H01L33/12 H01L33/14 C23C16/34 C23C16/455

代理机构：

长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214

代理人：

张勇;唐玲

法律状态：

授权

国省代码：

湖南省郴州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-18	授权	授权

共 50 条

[1]

提升内量子效率的LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

夏玺华 .

中国专利 :CN113036005A ,2021-06-25

[2]

LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

周孝维 .

中国专利 :CN112941490A ,2021-06-11

[3]

一种提升内量子效率的LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN107359224A ,2017-11-17

[4]

LED外延多量子阱层生长方法 [P].

徐平 ;

苗振林 .

中国专利 :CN112599647A ,2021-04-02

[5]

一种LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

季辉 ;

何鹏 .

中国专利 :CN109860344B ,2019-06-07

[6]

一种提升量子效率的LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

谢鹏杰 ;

刘康 ;

尹志哲 .

中国专利 :CN111540814A ,2020-08-14

[7]

提高内量子效率的LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN107507891B ,2017-12-22

[8]

一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法 [P].

卢太平 ;

朱亚丹 ;

许并社 ;

周小润 .

中国专利 :CN106876540B ,2017-06-20

[9]

一种提升发光效率的LED多量子阱层生长方法 [P].

徐平 ;

龚彬彬 ;

周孝维 ;

胡耀武 .

中国专利 :CN111952418A ,2020-11-17

[10]

一种LED外延多量子阱层生长方法 [P].

徐平 ;

胡耀武 ;

唐海马 .

中国专利 :CN112420884A ,2021-02-26

← 1 2 3 4 5 →