提高内量子效率的LED外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710681967.4

申请日：

2017-08-10

公开(公告)号：

CN107507891B

公开(公告)日：

2017-12-22

发明(设计)人：

徐平

申请人：

申请人地址：

423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3304 H01L3314 H01L3332

代理机构：

北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603

代理人：

于淼

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-15	授权	授权
2017-12-22	公开	公开
2018-01-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20170810

共 50 条

[1]

一种提高LED内量子效率的外延生长方法 [P].

张宇 ;

苗振林 .

中国专利 :CN105261678B ,2016-01-20

[2]

一种提升内量子效率的LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN107359224A ,2017-11-17

[3]

提升内量子效率的LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

夏玺华 .

中国专利 :CN113036005A ,2021-06-25

[4]

提升内量子效率的LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

夏玺华 .

中国专利 :CN113036005B ,2024-06-18

[5]

一种提高内量子效率的LED外延结构及生长方法 [P].

肖志国 ;

展望 ;

杨天鹏 ;

刘俊 ;

芦玲 ;

武胜利 .

中国专利 :CN103996765A ,2014-08-20

[6]

一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法 [P].

卢太平 ;

朱亚丹 ;

许并社 ;

周小润 .

中国专利 :CN106876540B ,2017-06-20

[7]

提高LED发光效率的外延生长方法 [P].

夏玺华 ;

徐平 .

中国专利 :CN105895753B ,2016-08-24

[8]

一种提高内量子效率紫外LED外延结构 [P].

李怀水 ;

申硕 ;

尤立鹏 ;

李晓波 .

中国专利 :CN212257437U ,2020-12-29

[9]

提高氮化镓基发光二极管内量子效率的外延生长方法 [P].

闫发旺 ;

宋雪云 .

中国专利 :CN101937954B ,2011-01-05

[10]

一种提高发光效率的LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN107946416A ,2018-04-20

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