一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710140872.1

申请日：

2017-03-10

公开(公告)号：

CN106876540B

公开(公告)日：

2017-06-20

发明(设计)人：

卢太平朱亚丹许并社周小润

申请人：

申请人地址：

030024 山西省太原市迎泽西大街79号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306 H01L3332

代理机构：

太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100

代理人：

张彩琴

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-20	公开	公开
2019-01-25	授权	授权
2017-07-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101734180835 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2017101408721 申请日:20170310

共 50 条

[1]

一种提高GaN基LED内量子效率的外延方法 [P].

许并社 ;

朱亚丹 ;

卢太平 ;

周小润 .

中国专利 :CN106876545A ,2017-06-20

[2]

提升内量子效率的LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

夏玺华 .

中国专利 :CN113036005A ,2021-06-25

[3]

提升内量子效率的LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

夏玺华 .

中国专利 :CN113036005B ,2024-06-18

[4]

提高内量子效率的LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN107507891B ,2017-12-22

[5]

一种提升内量子效率的LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN107359224A ,2017-11-17

[6]

一种提高LED内量子效率的外延生长方法 [P].

张宇 ;

苗振林 .

中国专利 :CN105261678B ,2016-01-20

[7]

一种GaN基LED外延结构及其生长方法 [P].

罗绍军 ;

李鸿建 ;

艾常涛 ;

靳彩霞 ;

董志江 .

中国专利 :CN103337572A ,2013-10-02

[8]

一种提升量子效率的LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

谢鹏杰 ;

刘康 ;

尹志哲 .

中国专利 :CN111540814A ,2020-08-14

[9]

一种提高GaN基LED静电耐受能力的外延生长方法 [P].

唐军 .

中国专利 :CN103824908A ,2014-05-28

[10]

一种提高内量子效率的LED外延结构及生长方法 [P].

肖志国 ;

展望 ;

杨天鹏 ;

刘俊 ;

芦玲 ;

武胜利 .

中国专利 :CN103996765A ,2014-08-20

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