一种提升量子效率的LED外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010386169.0

申请日：

2020-05-09

公开(公告)号：

CN111540814A

公开(公告)日：

2020-08-14

发明(设计)人：

徐平谢鹏杰刘康尹志哲

申请人：

申请人地址：

423038 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306 H01L3314 H01L3332 C23C1634 C23C16455 C23C1652

代理机构：

长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214

代理人：

张勇;唐玲

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-14	公开	公开
2020-09-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20200509

共 50 条

[1]

提升内量子效率的LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

夏玺华 .

中国专利 :CN113036005A ,2021-06-25

[2]

提升内量子效率的LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

夏玺华 .

中国专利 :CN113036005B ,2024-06-18

[3]

一种提升发光效率的LED多量子阱层生长方法 [P].

徐平 ;

龚彬彬 ;

周孝维 ;

胡耀武 .

中国专利 :CN111952418A ,2020-11-17

[4]

一种提升内量子效率的LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN107359224A ,2017-11-17

[5]

LED外延多量子阱层生长方法 [P].

徐平 ;

苗振林 .

中国专利 :CN112599647A ,2021-04-02

[6]

LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

周孝维 .

中国专利 :CN112941490A ,2021-06-11

[7]

LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

夏玺华 .

中国专利 :CN112687770B ,2024-05-14

[8]

LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

夏玺华 .

中国专利 :CN112687770A ,2021-04-20

[9]

一种LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

季辉 ;

何鹏 .

中国专利 :CN109860344B ,2019-06-07

[10]

一种提升晶体质量的LED多量子阱层生长方法 [P].

徐平 ;

谢鹏杰 ;

刘康 .

中国专利 :CN111628056A ,2020-09-04

← 1 2 3 4 5 →