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一种降低量子阱位错密度的LED外延生长方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010043947.6
申请日：
2020-01-15
公开(公告)号：
CN111223971A
公开(公告)日：
2020-06-02
发明(设计)人：
林传强
申请人：
申请人地址：
423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区
IPC主分类号：
H01L3332
IPC分类号：
H01L3306
H01L3302
H01L3300
代理机构：
北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603
代理人：
于淼
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-06-02 | 公开 | 公开 |
| 2020-06-26 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/32 申请日:20200115 |
| 2022-02-08 | 发明专利申请公布后的驳回 | 发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/32 申请公布日:20200602 |