减少外延层位错密度的LED生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610837716.6

申请日：

2016-09-21

公开(公告)号：

CN106129200B

公开(公告)日：

2016-11-16

发明(设计)人：

徐平余涛

申请人：

申请人地址：

423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区

IPC主分类号：

H01L3300(2010.01)I

IPC分类号：

H01L3302(2010.01)I H01L3306(2010.01)I

代理机构：

北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603

代理人：

于淼

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-16	公开	公开
2019-05-10	授权	授权
2016-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101691390306 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2016108377166 申请日:20160921

共 50 条

[1]

LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN109378377B ,2019-02-22

[2]

一种降低量子阱位错密度的LED外延生长方法 [P].

林传强 .

中国专利 :CN111223971A ,2020-06-02

[3]

一种减少外延片翘曲的LED生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN110010730A ,2019-07-12

[4]

LED外延片生长方法 [P].

徐平 ;

吴奇峰 .

中国专利 :CN109300854A ,2019-02-01

[5]

LED外延片生长方法 [P].

徐平 ;

吴奇峰 .

中国专利 :CN109378371A ,2019-02-22

[6]

一种减少外延片翘曲的LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN108847434A ,2018-11-20

[7]

提高生长质量的LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN109300855A ,2019-02-01

[8]

提高外延晶体质量的LED生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN105789388A ,2016-07-20

[9]

提升发光效率的LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN109585612B ,2019-04-05

[10]

基于石墨烯的LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

龚彬彬 ;

廖富达 ;

周佐华 ;

黄胜蓝 .

中国专利 :CN110246943A ,2019-09-17

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