一种改善晶体质量的GaN基LED外延底层生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710180102.X

申请日：

2017-03-22

公开(公告)号：

CN108630787A

公开(公告)日：

2018-10-09

发明(设计)人：

李毓锋马旺王成新徐现刚

申请人：

申请人地址：

261061 山东省潍坊市高新区金马路9号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3312 H01L2102

代理机构：

济南日新专利代理事务所 37224

代理人：

王书刚

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/00 申请公布日:20181009
2018-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20170322
2018-10-09	公开	公开

共 50 条

[1]

一种LED外延底层结构及其生长方法 [P].

李毓锋 ;

马旺 ;

王成新 ;

刘永明 .

中国专利 :CN111725371B ,2020-09-29

[2]

提高外延晶体质量的LED生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN105789388A ,2016-07-20

[3]

一种LED外延结构生长方法 [P].

徐平 ;

季辉 ;

何鹏 .

中国专利 :CN109860345A ,2019-06-07

[4]

一种LED外延量子阱生长方法 [P].

徐平 ;

季辉 ;

何鹏 .

中国专利 :CN109860344B ,2019-06-07

[5]

一种提高外延晶体质量的LED 生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN106449905A ,2017-02-22

[6]

一种GaN基LED外延结构及其生长方法 [P].

罗绍军 ;

李鸿建 ;

艾常涛 ;

靳彩霞 ;

董志江 .

中国专利 :CN103337572A ,2013-10-02

[7]

一种提升结晶质量的GaN基LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

胡耀武 .

中国专利 :CN113990988A ,2022-01-28

[8]

一种提高GaN基LED静电耐受能力的外延生长方法 [P].

唐军 .

中国专利 :CN103824908A ,2014-05-28

[9]

一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法 [P].

卢太平 ;

朱亚丹 ;

许并社 ;

周小润 .

中国专利 :CN106876540B ,2017-06-20

[10]

提高生长质量的LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN109300855A ,2019-02-01

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