一种提高外延晶体质量的LED 生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610954965.3

申请日：

2016-10-27

公开(公告)号：

CN106449905A

公开(公告)日：

2017-02-22

发明(设计)人：

徐平

申请人：

申请人地址：

423038 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3302 C23C1435 C23C1454

代理机构：

长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214

代理人：

郑隽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101708698086 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2016109549653 申请日:20161027
2020-06-05	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/00 申请公布日:20170222
2017-02-22	公开	公开

共 50 条

[1]

提高外延晶体质量的LED生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN105789388A ,2016-07-20

[2]

提高生长质量的LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN109300855A ,2019-02-01

[3]

一种改善晶体质量的GaN基LED外延底层生长方法 [P].

李毓锋 ;

马旺 ;

王成新 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN108630787A ,2018-10-09

[4]

一种高晶体质量AlN外延层的生长方法 [P].

许福军 ;

沈波 ;

秦志新 ;

王嘉铭 ;

张立胜 ;

何晨光 ;

杨志坚 .

中国专利 :CN104319234A ,2015-01-28

[5]

晶体质量可控的氮化镓薄膜外延生长方法 [P].

甘志银 ;

张荣军 ;

汪沛 ;

严晗 .

中国专利 :CN104347761B ,2015-02-11

[6]

一种高晶体质量高阻GaN外延层的生长方法 [P].

许福军 ;

沈波 ;

苗振林 ;

宋杰 ;

王新强 ;

唐宁 ;

杨志坚 ;

张国义 .

中国专利 :CN101871098B ,2010-10-27

[7]

一种提高LED亮度的外延生长方法 [P].

张宇 ;

苗振林 .

中国专利 :CN105206723A ,2015-12-30

[8]

LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN109378377B ,2019-02-22

[9]

一种提高氮化镓晶体质量的复合成核层的生长方法 [P].

张华 ;

肖云飞 .

中国专利 :CN103824916A ,2014-05-28

[10]

一种LED外延生长方法 [P].

徐平 ;

苗振林 ;

卢国军 .

中国专利 :CN105206722A ,2015-12-30

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