一种以蓝宝石衬底为基板的GaN基LED多阶缓冲层生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410090745.1

申请日：

2014-03-12

公开(公告)号：

CN103811601B

公开(公告)日：

2014-05-21

发明(设计)人：

何成中

申请人：

申请人地址：

230012 安徽省合肥市新站区工业园内

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-19	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 登记生效日:20210308 变更事项:专利权人变更前权利人:合肥彩虹蓝光科技有限公司变更后权利人:宁波安芯美半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:230012 安徽省合肥市新站区工业园内变更后权利人:315336 浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼110-7室
2014-05-21	公开	公开
2016-08-17	授权	授权
2014-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583097850 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2014100907451 申请日:20140312

共 50 条

[1]

一种生长在蓝宝石衬底上的InGaN/GaN多量子阱结构 [P].

邓顺达 ;

林溪汉 ;

林政德 .

中国专利 :CN204257685U ,2015-04-08

[2]

一种具有p型缓冲层的GaN基绿光LED结构及其生长方法 [P].

王智勇 ;

张杨 ;

杨翠柏 ;

杨光辉 .

中国专利 :CN104282812B ,2015-01-14

[3]

去除GaN基LED芯片蓝宝石衬底的方法 [P].

江忠永 ;

田洪涛 ;

张向飞 ;

徐瑾 .

中国专利 :CN101872814A ,2010-10-27

[4]

一种具有GaN缓冲层衬底的GaN基LED外延结构及其制备方法 [P].

张恒 ;

曲爽 ;

王成新 ;

徐现刚 ;

张雷 ;

郝霄鹏 .

中国专利 :CN105633232B ,2016-06-01

[5]

一种改善晶体质量的GaN基LED外延底层生长方法 [P].

李毓锋 ;

马旺 ;

王成新 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN108630787A ,2018-10-09

[6]

一种提高GaN基LED静电耐受能力的外延生长方法 [P].

唐军 .

中国专利 :CN103824908A ,2014-05-28

[7]

一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法 [P].

卢太平 ;

朱亚丹 ;

许并社 ;

周小润 .

中国专利 :CN106876540B ,2017-06-20

[8]

以SiC为衬底GaN基HEMT器件外延生长方法 [P].

王静辉 ;

何志 ;

杨私私 ;

李晓波 ;

白欣娇 ;

袁凤坡 ;

李浩 ;

李婷婷 ;

曹增波 ;

林文焘 .

中国专利 :CN108039321A ,2018-05-15

[9]

基于蓝宝石图形化衬底的LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN106374021A ,2017-02-01

[10]

一种GaN基LED外延结构及其生长方法 [P].

罗绍军 ;

李鸿建 ;

艾常涛 ;

靳彩霞 ;

董志江 .

中国专利 :CN103337572A ,2013-10-02

← 1 2 3 4 5 →