以SiC为衬底GaN基HEMT器件外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711122862.1

申请日：

2017-11-14

公开(公告)号：

CN108039321A

公开(公告)日：

2018-05-15

发明(设计)人：

王静辉何志杨私私李晓波白欣娇袁凤坡李浩李婷婷曹增波林文焘

申请人：

申请人地址：

050200 河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

北京华谊知识产权代理有限公司 11207

代理人：

王普玉

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/335 申请公布日:20180515
2018-05-15	公开	公开

共 50 条

[1]

硅衬底GaN基LED外延生长方法 [P].

张勇 .

中国专利 :CN108110093A ,2018-06-01

[2]

基于Si衬底外延SiC基GaN HEMT的工艺方法 [P].

林书勋 .

中国专利 :CN106981423A ,2017-07-25

[3]

蓝宝石衬底GaN基HEMT器件外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

张晓庆 ;

武杰 ;

徐亮 .

中国专利 :CN117790308A ,2024-03-29

[4]

一种GaN基HEMT器件外延结构及其生长方法 [P].

唐军 ;

潘尧波 .

中国专利 :CN108573853B ,2018-09-25

[5]

硅基AlGaN/GaN HEMT外延薄膜及其生长方法 [P].

吴春艳 ;

鲁德 ;

朱晨岳 ;

周昆楠 ;

戴一航 ;

罗林保 .

中国专利 :CN114613847B ,2022-06-10

[6]

GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117727773B ,2024-04-19

[7]

GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117727773A ,2024-03-19

[8]

GaN单晶衬底的HEMT外延结构和外延方法 [P].

王瑞 ;

敖辉 ;

王彦彬 ;

颜建锋 ;

庄文荣 .

中国专利 :CN118983336A ,2024-11-19

[9]

GaN基HEMT器件、器件外延结构及其制备方法 [P].

马旺 ;

陈龙 ;

程静云 ;

陈祖尧 ;

王洪朝 ;

袁理 .

中国专利 :CN113793868A ,2021-12-14

[10]

外延生长方法以及外延生长用衬底 [P].

中村正志 ;

栗田英树 .

中国专利 :CN100401482C ,2005-12-14

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