具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310079843.0
申请日
2013-03-13
公开(公告)号
CN103199169A
公开(公告)日
2013-07-10
发明(设计)人
李鸿渐 李盼盼 李志聪 孙一军 王国宏
申请人
申请人地址
225009 江苏省扬州市开发区临江路186号
IPC主分类号
H01L3332
IPC分类号
H01L3300
代理机构
扬州市锦江专利事务所 32106
代理人
江平
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构 [P]. 
李鸿渐 ;
李盼盼 ;
李志聪 ;
孙一军 ;
王国宏 .
中国专利 :CN203192831U ,2013-09-11
[2]
应用MQW生长的绿光GaN基LED外延结构 [P]. 
李盼盼 ;
李鸿渐 ;
李志聪 ;
孙一军 ;
王国宏 .
中国专利 :CN203192833U ,2013-09-11
[3]
应用MQW生长的绿光GaN基LED外延结构 [P]. 
李盼盼 ;
李鸿渐 ;
李志聪 ;
孙一军 ;
王国宏 .
中国专利 :CN103178176A ,2013-06-26
[4]
一种绿光GaN基LED外延结构 [P]. 
李鸿渐 ;
李盼盼 ;
李志聪 ;
孙一军 ;
王国宏 .
中国专利 :CN103178177A ,2013-06-26
[5]
一种绿光GaN基LED外延结构 [P]. 
李鸿渐 ;
李盼盼 ;
李志聪 ;
孙一军 ;
王国宏 .
中国专利 :CN203192832U ,2013-09-11
[6]
一种高亮度GaN基绿光LED中的外延结构 [P]. 
李盼盼 ;
李鸿渐 ;
李志聪 ;
孙一军 ;
王国宏 .
中国专利 :CN203192834U ,2013-09-11
[7]
一种高亮度GaN基绿光LED中的外延结构 [P]. 
李盼盼 ;
李鸿渐 ;
李志聪 ;
孙一军 ;
王国宏 .
中国专利 :CN103187501A ,2013-07-03
[8]
高亮度GaN基绿光LED的MQW结构 [P]. 
李盼盼 ;
李鸿渐 ;
李志聪 ;
孙一军 ;
王国宏 .
中国专利 :CN203192830U ,2013-09-11
[9]
高亮度GaN基绿光LED的MQW结构 [P]. 
李盼盼 ;
李鸿渐 ;
李志聪 ;
孙一军 ;
王国宏 .
中国专利 :CN103178173A ,2013-06-26
[10]
GaN基蓝绿光LED外延结构及其制备方法 [P]. 
胡清富 ;
武杰 ;
林嘉虹 ;
卢雨金 ;
李明通 ;
曹一伟 .
中国专利 :CN119894184A ,2025-04-25