一种高亮度GaN基绿光LED中的外延结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310079870.8

申请日：

2013-03-13

公开(公告)号：

CN103187501A

公开(公告)日：

2013-07-03

发明(设计)人：

李盼盼李鸿渐李志聪孙一军王国宏

申请人：

申请人地址：

225009 江苏省扬州市开发区临江路186号

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3306

代理机构：

扬州市锦江专利事务所 32106

代理人：

江平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-03	公开	公开
2016-10-26	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101740798045 IPC(主分类):H01L 33/12 专利申请号:2013100798708 申请公布日:20130703
2013-09-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101516521935 IPC(主分类):H01L 33/12 专利申请号:2013100798708 申请日:20130313

共 50 条

[1]

一种高亮度GaN基绿光LED中的外延结构 [P].

李盼盼 ;

李鸿渐 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 .

中国专利 :CN203192834U ,2013-09-11

[2]

高亮度GaN基绿光LED的MQW结构 [P].

李盼盼 ;

李鸿渐 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 .

中国专利 :CN203192830U ,2013-09-11

[3]

高亮度GaN基绿光LED的MQW结构 [P].

李盼盼 ;

李鸿渐 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 .

中国专利 :CN103178173A ,2013-06-26

[4]

一种绿光GaN基LED外延结构 [P].

李鸿渐 ;

李盼盼 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 .

中国专利 :CN103178177A ,2013-06-26

[5]

一种绿光GaN基LED外延结构 [P].

李鸿渐 ;

李盼盼 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 .

中国专利 :CN203192832U ,2013-09-11

[6]

具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构 [P].

李鸿渐 ;

李盼盼 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 .

中国专利 :CN103199169A ,2013-07-10

[7]

具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构 [P].

李鸿渐 ;

李盼盼 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 .

中国专利 :CN203192831U ,2013-09-11

[8]

高亮度GaN 基LED 外延结构及其制作方法 [P].

琚晶 ;

马后永 ;

李起鸣 .

中国专利 :CN104638074B ,2015-05-20

[9]

应用MQW生长的绿光GaN基LED外延结构 [P].

李盼盼 ;

李鸿渐 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 .

中国专利 :CN203192833U ,2013-09-11

[10]

应用MQW生长的绿光GaN基LED外延结构 [P].

李盼盼 ;

李鸿渐 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 .

中国专利 :CN103178176A ,2013-06-26

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