具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310079843.0
申请日
2013-03-13
公开(公告)号
CN103199169A
公开(公告)日
2013-07-10
发明(设计)人
李鸿渐 李盼盼 李志聪 孙一军 王国宏
申请人
申请人地址
225009 江苏省扬州市开发区临江路186号
IPC主分类号
H01L3332
IPC分类号
H01L3300
代理机构
扬州市锦江专利事务所 32106
代理人
江平
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[11]
GaN基蓝绿光LED外延结构及其制备方法 [P]. 
胡清富 ;
徐亮 ;
张晓庆 ;
武杰 ;
于斌 ;
徐金荣 ;
林嘉虹 .
中国专利 :CN117954543A ,2024-04-30
[12]
一种GaN基绿光LED外延结构 [P]. 
王洪 ;
徐明升 ;
周泉斌 .
中国专利 :CN207282516U ,2018-04-27
[13]
GaN基绿光LED外延片及其制备方法、LED [P]. 
印从飞 ;
张彩霞 ;
刘春杨 ;
胡加辉 ;
金从龙 .
中国专利 :CN117239025B ,2024-02-20
[14]
GaN基LED外延结构的制备方法 [P]. 
琚晶 ;
马后永 ;
游正璋 ;
张宇 ;
李起鸣 ;
徐慧文 .
中国专利 :CN106784171A ,2017-05-31
[15]
具有In掺杂的低温生长P型GaN外延方法 [P]. 
郭丽彬 .
中国专利 :CN102867892A ,2013-01-09
[16]
一种具有p型缓冲层的GaN基绿光LED结构及其生长方法 [P]. 
王智勇 ;
张杨 ;
杨翠柏 ;
杨光辉 .
中国专利 :CN104282812B ,2015-01-14
[17]
具有渐变In组分p型InGaN导电层的GaN基绿光LED外延结构及其制备方法 [P]. 
王洪 ;
徐明升 ;
周泉斌 .
中国专利 :CN107146836A ,2017-09-08
[18]
GaN基LED外延结构及其制备方法 [P]. 
琚晶 ;
马后永 ;
游正璋 ;
李起鸣 ;
张宇 ;
徐慧文 .
中国专利 :CN105336819A ,2016-02-17
[19]
GaN基LED外延结构及其制备方法 [P]. 
琚晶 ;
马后永 ;
游正璋 ;
李起鸣 ;
张宇 ;
徐慧文 .
中国专利 :CN105336821A ,2016-02-17
[20]
GaN基LED外延结构 [P]. 
刘恒山 ;
陈立人 ;
冯猛 .
中国专利 :CN204809246U ,2015-11-25