一种指数掺杂GaN紫外光电阴极材料结构的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611222326.4

申请日：

2016-12-27

公开(公告)号：

CN108242378A

公开(公告)日：

2018-07-03

发明(设计)人：

王晓辉

申请人：

申请人地址：

610000 四川省成都市吉泰路666号1栋10层11号

IPC主分类号：

H01J134

IPC分类号：

H01J912

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01J 1/34 申请公布日:20180703
2018-07-03	公开	公开

共 50 条

[1]

指数掺杂GaN紫外光电阴极材料结构 [P].

王晓辉 .

中国专利 :CN108242377A ,2018-07-03

[2]

指数掺杂GaN紫外光电阴极材料结构及其制备方法 [P].

常本康 ;

李飙 ;

徐源 ;

王晓晖 ;

高频 ;

张俊举 ;

杜晓晴 .

中国专利 :CN102087937A ,2011-06-08

[3]

多组分、梯度掺杂GaN紫外光电阴极材料结构及其制作方法 [P].

常本康 ;

李飙 ;

徐源 ;

杜玉杰 ;

王晓晖 ;

杜晓晴 .

中国专利 :CN102064206A ,2011-05-18

[4]

基于变掺杂结构的透射式GaN紫外光电阴极 [P].

杜晓晴 ;

常本康 ;

钱芸生 ;

高频 ;

张益军 ;

王晓晖 .

中国专利 :CN201689902U ,2010-12-29

[5]

一种反射式GaN紫外光电阴极材料结构及其制作方法 [P].

杜晓晴 ;

常本康 ;

钱芸生 ;

赵红 ;

王晓兰 .

中国专利 :CN100595858C ,2009-06-03

[6]

基于变掺杂结构的透射式GaN紫外光电阴极及制作方法 [P].

杜晓晴 ;

常本康 ;

钱芸生 ;

高频 ;

王晓晖 ;

张益军 .

中国专利 :CN101866976B ,2010-10-20

[7]

基于GaN盖层的AlGaN紫外光电阴极及其制备方法 [P].

景茂恒 ;

肖翔 ;

李纯 ;

赵继光 ;

彭翔 ;

钟枚汕 ;

祝世登 ;

王志明 ;

卢文浩 ;

赵亮 ;

杨跃光 ;

王元军 ;

张兴华 .

中国专利 :CN118352206A ,2024-07-16

[8]

基于场助指数掺杂结构的GaN纳米线阵列光电阴极 [P].

居莹 ;

陆菲菲 ;

刘磊 ;

田健 .

中国专利 :CN110223897B ,2019-09-10

[9]

一种p型指数掺杂结构GaN光电阴极材料的生长方法 [P].

王晓晖 ;

张益军 ;

杨明珠 .

中国专利 :CN106449907B ,2017-02-22

[10]

透射式AlGaN紫外光电阴极及其制备方法 [P].

常本康 ;

郝广辉 ;

金睦辉 ;

陈鑫龙 ;

张益军 ;

杨明珠 ;

石峰 ;

程宏昌 ;

任彬 .

中国专利 :CN103779436A ,2014-05-07

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