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处理半导体晶圆的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202080003428.5
申请日：
2020-11-19
公开(公告)号：
CN112585725A
公开(公告)日：
2021-03-30
发明(设计)人：
蔡理权 陈鹏 周厚德
申请人：
申请人地址：
430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
IPC主分类号：
H01L21304
IPC分类号：
H01L21306 H01L2166 H01L2167 B23K2603
代理机构：
北京永新同创知识产权代理有限公司 11376
代理人：
杨锡劢;刘柳
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-04-16 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/304 申请日:20201119
2021-03-30 公开 公开
共 50 条
[1]
处理半导体晶圆的方法 [P]. 
蔡理权 ;
陈鹏 ;
周厚德 .
中国专利 :CN112585725B ,2024-06-07
[2]
半导体晶圆处理装置及半导体晶圆处理方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN109755152B ,2019-05-14
[3]
半导体晶圆的处理方法 [P]. 
黄平尧 .
中国专利 :CN118366854A ,2024-07-19
[4]
半导体晶圆的处理方法 [P]. 
马阳军 .
中国专利 :CN118366924A ,2024-07-19
[5]
半导体晶圆的处理方法 [P]. 
何小麟 .
中国专利 :CN118737959A ,2024-10-01
[6]
处理半导体晶圆的方法 [P]. 
朱瑞霖 ;
陈志明 ;
喻中一 ;
杜友伦 .
中国专利 :CN113249710A ,2021-08-13
[7]
半导体晶圆的清洗方法、半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆 [P]. 
柳井凉一 .
日本专利 :CN120731491A ,2025-09-30
[8]
半导体处理装置及处理半导体晶圆的方法 [P]. 
罗兴安 .
中国专利 :CN103871815A ,2014-06-18
[9]
半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆 [P]. 
铃木温 .
日本专利 :CN119278499A ,2025-01-07
[10]
半导体晶圆和半导体晶圆的制造方法 [P]. 
园田真吾 ;
西弦正 ;
藤原拓哉 .
日本专利 :CN121123119A ,2025-12-12
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