半导体晶圆处理装置及半导体晶圆处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711091289.2

申请日：

2017-11-08

公开(公告)号：

CN109755152B

公开(公告)日：

2019-05-14

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-14	公开	公开
2021-01-26	授权	授权
2019-06-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/67 申请日:20171108

共 50 条

[1]

半导体晶圆处理装置 [P].

谢静超 ;

李阳 ;

刘雪莉 .

中国专利 :CN221079972U ,2024-06-04

[2]

半导体处理装置及处理半导体晶圆的方法 [P].

罗兴安 .

中国专利 :CN103871815A ,2014-06-18

[3]

半导体晶圆的处理方法 [P].

马阳军 .

中国专利 :CN118366924A ,2024-07-19

[4]

半导体晶圆处理设备 [P].

郑盛夏 ;

朴雄洙 ;

崔海闰 ;

金京善 ;

申明修 ;

金东炫 ;

张虎永 ;

全康民 ;

韩京铉 .

韩国专利 :CN120356814A ,2025-07-22

[5]

半导体晶圆处理设备 [P].

温子瑛 ;

王吉 .

中国专利 :CN206602101U ,2017-10-31

[6]

半导体晶圆的清洗方法、半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆 [P].

柳井凉一 .

日本专利 :CN120731491A ,2025-09-30

[7]

半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆 [P].

铃木温 .

日本专利 :CN119278499A ,2025-01-07

[8]

半导体晶圆及半导体晶圆的研磨方法 [P].

吉田拓 ;

栗田英树 .

中国专利 :CN109689946A ,2019-04-26

[9]

半导体晶圆及测量半导体晶圆的方法 [P].

陈慕辰 .

中国专利 :CN120784174A ,2025-10-14

[10]

半导体晶圆输送方法及半导体晶圆输送装置 [P].

山本雅之 ;

长谷幸敏 .

中国专利 :CN102479735A ,2012-05-30

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