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半导体装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110101432.1
申请日
:
2021-01-26
公开(公告)号
:
CN113270472A
公开(公告)日
:
2021-08-17
发明(设计)人
:
林孟汉
贾汉中
杨世海
徐志安
林佑明
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
IPC主分类号
:
H01L2906
IPC分类号
:
H01L29423
H01L27108
代理机构
:
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
代理人
:
徐金国
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-08-17
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体装置
[P].
水村章
论文数:
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0
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0
水村章
;
安茂博章
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安茂博章
;
大石哲也
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大石哲也
.
中国专利
:CN102664179B
,2012-09-12
[2]
半导体装置
[P].
水村章
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水村章
;
安茂博章
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安茂博章
;
大石哲也
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大石哲也
.
中国专利
:CN101533843B
,2009-09-16
[3]
半导体装置
[P].
河原慎二
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机构:
株式会社东芝
株式会社东芝
河原慎二
;
山本武志
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机构:
株式会社东芝
株式会社东芝
山本武志
;
山浦和章
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机构:
株式会社东芝
株式会社东芝
山浦和章
;
户田顺之
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机构:
株式会社东芝
株式会社东芝
户田顺之
.
日本专利
:CN112530953B
,2024-05-31
[4]
半导体装置
[P].
河原慎二
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河原慎二
;
山本武志
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山本武志
;
山浦和章
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山浦和章
;
户田顺之
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户田顺之
.
中国专利
:CN112530953A
,2021-03-19
[5]
半导体装置
[P].
田矢真敏
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田矢真敏
.
中国专利
:CN106409908A
,2017-02-15
[6]
半导体装置
[P].
高桥新之助
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高桥新之助
;
青池将之
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青池将之
.
中国专利
:CN108735812B
,2018-11-02
[7]
半导体装置和半导体装置的制造方法
[P].
君冢直彦
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机构:
索尼半导体解决方案公司
索尼半导体解决方案公司
君冢直彦
.
日本专利
:CN119631598A
,2025-03-14
[8]
半导体装置及半导体装置的制造方法
[P].
小野寺孝二
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小野寺孝二
;
中村光宏
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中村光宏
;
西田知矢
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西田知矢
.
中国专利
:CN1819265A
,2006-08-16
[9]
半导体装置以及制造半导体装置的方法
[P].
安西邦夫
论文数:
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安西邦夫
.
中国专利
:CN102456699A
,2012-05-16
[10]
半导体装置以及半导体装置的制造方法
[P].
柴口拓
论文数:
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柴口拓
.
中国专利
:CN111755448A
,2020-10-09
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