基于SiOx的光读取神经突触器件结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710818734.4

申请日：

2017-09-12

公开(公告)号：

CN107611260B

公开(公告)日：

2018-01-19

发明(设计)人：

李伟苟*豪侯伟孟文林陈奕丞李东阳钟豪蒋亚东

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

B82Y3000

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢;葛启函

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-19	公开	公开
2018-02-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20170912
2022-08-26	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20170912 授权公告日:20190913 终止日期:20210912
2019-09-13	授权	授权

共 50 条

[1]

基于SiNx的光读取神经突触器件结构及其制备方法 [P].

李伟 ;

侯伟 ;

苟*豪 ;

孟文林 ;

陈奕丞 ;

钟豪 ;

李东阳 ;

蒋亚东 .

中国专利 :CN107634140B ,2018-01-26

[2]

基于a-Si的光读取神经突触器件结构及其制备方法 [P].

李伟 ;

侯伟 ;

李东阳 ;

苟*豪 ;

孟文林 ;

陈奕丞 ;

钟豪 ;

蒋亚东 .

中国专利 :CN107579155B ,2018-01-12

[3]

基于SiOxNy的光读取神经突触器件及其制备方法 [P].

李伟 ;

陈奕丞 ;

李东阳 ;

钟豪 ;

顾德恩 ;

蒋亚东 .

中国专利 :CN108110137A ,2018-06-01

[4]

基于a-SiOx忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法 [P].

李伟 ;

宋宇浩 ;

次会聚 ;

董湘 ;

袁余涵 ;

李东阳 ;

蒋向东 .

中国专利 :CN109037442B ,2018-12-18

[5]

人工神经突触器件及其制备方法 [P].

刘琦 ;

吴祖恒 ;

时拓 ;

刘明 ;

吕杭炳 ;

张续猛 .

中国专利 :CN110600610A ,2019-12-20

[6]

基于a-SiOxNy忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法 [P].

李伟 ;

宋宇浩 ;

次会聚 ;

董湘 ;

袁余涵 ;

李东阳 ;

蒋向东 .

中国专利 :CN109065714B ,2018-12-21

[7]

基于a-Si忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法 [P].

李伟 ;

陈奕丞 ;

次会聚 ;

董湘 ;

刘诚 ;

李东阳 ;

蒋向东 .

中国专利 :CN109065713A ,2018-12-21

[8]

基于a-SiNx忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法 [P].

李东阳 ;

次会聚 ;

宋宇浩 ;

陈奕丞 ;

袁余涵 ;

李伟 ;

蒋向东 .

中国专利 :CN109037443A ,2018-12-18

[9]

一种神经突触器件及其制备方法 [P].

陈琳 ;

房雨晴 ;

孟佳琳 ;

王天宇 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN117693285A ,2024-03-12

[10]

类神经突触器件及其制造方法 [P].

张冠张 ;

李蕾 ;

胡萝丹 .

中国专利 :CN113471359A ,2021-10-01

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