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基于a-Si忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201810892819.1
申请日：
2018-08-07
公开(公告)号：
CN109065713A
公开(公告)日：
2018-12-21
发明(设计)人：
李伟 陈奕丞 次会聚 董湘 刘诚 李东阳 蒋向东
申请人：
申请人地址：
611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
IPC主分类号：
H01L4500
IPC分类号：
代理机构：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232
代理人：
葛启函
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-01-15 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20180807
2020-07-31 授权 授权
2018-12-21 公开 公开
共 50 条
[1]
基于a-SiOxNy忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法 [P]. 
李伟 ;
宋宇浩 ;
次会聚 ;
董湘 ;
袁余涵 ;
李东阳 ;
蒋向东 .
中国专利 :CN109065714B ,2018-12-21
[2]
基于a-SiNx忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法 [P]. 
李东阳 ;
次会聚 ;
宋宇浩 ;
陈奕丞 ;
袁余涵 ;
李伟 ;
蒋向东 .
中国专利 :CN109037443A ,2018-12-18
[3]
基于a-SiOx忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法 [P]. 
李伟 ;
宋宇浩 ;
次会聚 ;
董湘 ;
袁余涵 ;
李东阳 ;
蒋向东 .
中国专利 :CN109037442B ,2018-12-18
[4]
基于a-Si的光读取神经突触器件结构及其制备方法 [P]. 
李伟 ;
侯伟 ;
李东阳 ;
苟*豪 ;
孟文林 ;
陈奕丞 ;
钟豪 ;
蒋亚东 .
中国专利 :CN107579155B ,2018-01-12
[5]
一种基于忆阻器的神经突触仿生器件及制备方法 [P]. 
刘儒平 ;
石月 ;
李烨 ;
邓骞 ;
王慰 ;
李路海 .
中国专利 :CN109802035A ,2019-05-24
[6]
一种神经突触仿生器件及其制备方法 [P]. 
陈琳 ;
孙清清 ;
张卫 .
中国专利 :CN105304813A ,2016-02-03
[7]
基于二维铁电材料的忆阻神经突触器件及调控方法 [P]. 
李林军 ;
朱焕峰 ;
张天 .
中国专利 :CN115394920A ,2022-11-25
[8]
基于SiOxNy的光读取神经突触器件及其制备方法 [P]. 
李伟 ;
陈奕丞 ;
李东阳 ;
钟豪 ;
顾德恩 ;
蒋亚东 .
中国专利 :CN108110137A ,2018-06-01
[9]
基于SiOx的光读取神经突触器件结构及其制备方法 [P]. 
李伟 ;
苟*豪 ;
侯伟 ;
孟文林 ;
陈奕丞 ;
李东阳 ;
钟豪 ;
蒋亚东 .
中国专利 :CN107611260B ,2018-01-19
[10]
基于SiNx的光读取神经突触器件结构及其制备方法 [P]. 
李伟 ;
侯伟 ;
苟*豪 ;
孟文林 ;
陈奕丞 ;
钟豪 ;
李东阳 ;
蒋亚东 .
中国专利 :CN107634140B ,2018-01-26
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