基于二维铁电材料的忆阻神经突触器件及调控方法

被引：0

申请号：

CN202211076185.5

申请日：

2022-09-05

公开(公告)号：

CN115394920A

公开(公告)日：

2022-11-25

发明(设计)人：

李林军朱焕峰张天

申请人：

申请人地址：

314031 浙江省嘉兴市智富中心48幢401室

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

G06N3063

代理机构：

杭州中成专利事务所有限公司 33212

代理人：

李亦慈;唐银益

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20220905
2022-11-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于二维铁电材料的人工异源突触器件及调控方法 [P].

杨玉超 ;

刘柯钦 ;

黄如 .

中国专利 :CN111341911B ,2020-06-26

[2]

一种基于二维铁电材料的突触器件及其制备方法 [P].

乔骁俊 ;

丑修建 ;

耿文平 ;

姜宁 ;

吴宇轩 ;

游亚军 .

中国专利 :CN120640968A ,2025-09-12

[3]

一种基于二维材料的铁电忆阻器件及其制备方法 [P].

秦琦 ;

姚苏昊 ;

张缪城 ;

罗健成 ;

施明旻 ;

童祎 ;

连晓娟 .

中国专利 :CN111129299A ,2020-05-08

[4]

基于a-SiOx忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法 [P].

李伟 ;

宋宇浩 ;

次会聚 ;

董湘 ;

袁余涵 ;

李东阳 ;

蒋向东 .

中国专利 :CN109037442B ,2018-12-18

[5]

基于a-SiOxNy忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法 [P].

李伟 ;

宋宇浩 ;

次会聚 ;

董湘 ;

袁余涵 ;

李东阳 ;

蒋向东 .

中国专利 :CN109065714B ,2018-12-21

[6]

基于a-Si忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法 [P].

李伟 ;

陈奕丞 ;

次会聚 ;

董湘 ;

刘诚 ;

李东阳 ;

蒋向东 .

中国专利 :CN109065713A ,2018-12-21

[7]

基于a-SiNx忆阻效应的SPR神经突触器件及其制备方法 [P].

李东阳 ;

次会聚 ;

宋宇浩 ;

陈奕丞 ;

袁余涵 ;

李伟 ;

蒋向东 .

中国专利 :CN109037443A ,2018-12-18

[8]

基于二维MXene材料的忆阻器件及其制备方法 [P].

沈心怡 ;

刘鑫伟 ;

高斐 ;

张缪城 ;

童祎 ;

连晓娟 ;

万相 .

中国专利 :CN109920909A ,2019-06-21

[9]

基于第一性原理计算的二维铁电材料光谱调控方法 [P].

马俊浩 ;

孙洁茹 ;

周朋霞 .

中国专利 :CN120895151A ,2025-11-04

[10]

一种二维铁电忆阻器、其制备方法及应用 [P].

王宏 ;

闫小兵 ;

王淑芳 ;

唐雨松 .

中国专利 :CN117615640A ,2024-02-27

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