一种基于二维铁电材料的人工异源突触器件及调控方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010187425.3

申请日：

2020-03-17

公开(公告)号：

CN111341911B

公开(公告)日：

2020-06-26

发明(设计)人：

杨玉超刘柯钦黄如

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

G11C1122

代理机构：

北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360

代理人：

李稚婷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20200317
2020-06-26	公开	公开
2021-08-24	授权	授权

共 50 条

[1]

基于二维铁电材料的忆阻神经突触器件及调控方法 [P].

李林军 ;

朱焕峰 ;

张天 .

中国专利 :CN115394920A ,2022-11-25

[2]

一种基于二维铁电材料的突触器件及其制备方法 [P].

乔骁俊 ;

丑修建 ;

耿文平 ;

姜宁 ;

吴宇轩 ;

游亚军 .

中国专利 :CN120640968A ,2025-09-12

[3]

一种基于二维ReS<sub>2</sub>材料的光调控人工突触器件 [P].

孙林锋 ;

张倩玉 .

中国专利 :CN119866090A ,2025-04-22

[4]

一种基于二维黑磷/硫化锡异质结的人工突触器件 [P].

吕文星 ;

田红梅 ;

吴晓晶 ;

曹喻霖 ;

杨玮民 ;

邵志斌 ;

王晓波 .

中国专利 :CN119170651A ,2024-12-20

[5]

一种铁电极化调控的人工突触器件及其制备方法 [P].

田博博 ;

段纯刚 ;

朱秋香 ;

闫梦阁 .

中国专利 :CN111081875A ,2020-04-28

[6]

基于第一性原理计算的二维铁电材料光谱调控方法 [P].

马俊浩 ;

孙洁茹 ;

周朋霞 .

中国专利 :CN120895151A ,2025-11-04

[7]

一种基于二维铁电半导体的异源突触电子器件及其制备方法 [P].

刘富才 ;

曹桂铭 ;

陈建钢 ;

蒙鹏 ;

刘海石 .

中国专利 :CN113497063B ,2024-02-02

[8]

一种二维MXene基活性电极材料、制备方法及人工突触器件 [P].

张跃 ;

李天铎 ;

廖庆亮 ;

荀晓晨 ;

赵璇 ;

高放放 ;

徐良旭 ;

李苇航 ;

高滋檀 .

中国专利 :CN119160893A ,2024-12-20

[9]

一种基于二维铁电半导体的异源突触电子器件及其制备方法 [P].

刘富才 ;

曹桂铭 ;

陈建钢 ;

蒙鹏 ;

刘海石 .

中国专利 :CN113497063A ,2021-10-12

[10]

一种二维MXene基活性电极材料、制备方法及人工突触器件 [P].

张跃 ;

李天铎 ;

廖庆亮 ;

荀晓晨 ;

赵璇 ;

高放放 ;

徐良旭 ;

李苇航 ;

高滋檀 .

中国专利 :CN119160893B ,2025-04-08

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