一种基于二维铁电材料的突触器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511140617.8

申请日：

2025-08-15

公开(公告)号：

CN120640968A

公开(公告)日：

2025-09-12

发明(设计)人：

乔骁俊丑修建耿文平姜宁吴宇轩游亚军

申请人：

中北大学

申请人地址：

030051 山西省太原市尖草坪区学院路3号

IPC主分类号：

H10N70/20

IPC分类号：

H10N70/00

代理机构：

太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100

代理人：

王二红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

山西省太原市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/20申请日:20250815
2025-09-12	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于二维铁电材料的人工异源突触器件及调控方法 [P].

杨玉超 ;

刘柯钦 ;

黄如 .

中国专利 :CN111341911B ,2020-06-26

[2]

基于二维铁电材料的忆阻神经突触器件及调控方法 [P].

李林军 ;

朱焕峰 ;

张天 .

中国专利 :CN115394920A ,2022-11-25

[3]

基于二维材料的多功能光敏突触器件及其制备方法 [P].

徐杨 ;

周嘉超 ;

李涵茜 ;

徐心艺 ;

田丰 ;

陈丽 ;

陈安哲 ;

俞滨 .

中国专利 :CN114497247A ,2022-05-13

[4]

基于二维材料的多功能光敏突触器件及其制备方法 [P].

徐杨 ;

周嘉超 ;

李涵茜 ;

徐心艺 ;

田丰 ;

陈丽 ;

陈安哲 ;

俞滨 .

中国专利 :CN114497247B ,2025-10-21

[5]

一种单晶过渡金属二维铁电材料的制备方法 [P].

胡万彪 ;

郭长金 ;

倪园凯 ;

顾成鼎 ;

杨玉媛 ;

何昆元 .

中国专利 :CN117431630A ,2024-01-23

[6]

一种基于二维磁性材料的突触器件及其应用 [P].

曾中明 ;

张宝顺 ;

王启丽泰 ;

涂华垚 ;

陈倩 .

中国专利 :CN114068804A ,2022-02-18

[7]

一种基于二维材料的铁电忆阻器件及其制备方法 [P].

秦琦 ;

姚苏昊 ;

张缪城 ;

罗健成 ;

施明旻 ;

童祎 ;

连晓娟 .

中国专利 :CN111129299A ,2020-05-08

[8]

一种可集成的二维光电突触器件阵列及其制备方法 [P].

刘富才 ;

曹桂铭 ;

刘海石 ;

陈建钢 ;

卞仁吉 ;

蒙鹏 .

中国专利 :CN111987173B ,2020-11-24

[9]

一种基于二维铁电材料的场效应晶体管结构及其制备方法 [P].

杨雅芬 ;

朱颢 ;

张卫 .

中国专利 :CN115332345A ,2022-11-11

[10]

一种二维材料-有机铁电材料超晶格存储器单元及其制备 [P].

汤乃云 .

中国专利 :CN108878429A ,2018-11-23

← 1 2 3 4 5 →