一种铁电极化调控的人工突触器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911265570.2

申请日：

2019-12-11

公开(公告)号：

CN111081875A

公开(公告)日：

2020-04-28

发明(设计)人：

田博博段纯刚朱秋香闫梦阁

申请人：

申请人地址：

200241 上海市闵行区东川路500号

IPC主分类号：

H01L5105

IPC分类号：

H01L5130 H01L5140

代理机构：

上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215

代理人：

徐筱梅;张翔

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/05 申请日:20191211
2022-07-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 51/05 申请公布日:20200428
2020-04-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种光调控三端口人工突触器件及制备方法 [P].

仪明东 ;

马可 ;

郭云 ;

曹克阳 .

中国专利 :CN110854275B ,2020-02-28

[2]

一种偏振光敏感的人工突触器件及其制备方法 [P].

王中强 ;

陶冶 ;

朱永兴 ;

徐海阳 ;

刘益春 .

中国专利 :CN118591273A ,2024-09-03

[3]

一种双端光电人工突触器件及其制备方法和应用 [P].

彭晖 ;

张尧迪 ;

蒋纯莉 ;

罗春花 ;

钟妮 ;

田博博 ;

林和春 ;

段纯刚 .

中国专利 :CN112436092B ,2021-03-02

[4]

一种全光控人工突触器件及其制备方法 [P].

王中强 ;

孟令鑫 ;

林亚 ;

王强 ;

王泽尉 ;

徐海阳 ;

刘益春 .

中国专利 :CN121013642A ,2025-11-25

[5]

离子插层的人工突触器件及其制备方法 [P].

张跃 ;

苏兆洋 ;

廖庆亮 ;

赵璇 ;

荀晓晨 ;

刘菁筱 ;

宣景悦 ;

张珂语 .

中国专利 :CN118382350A ,2024-07-23

[6]

一种具备纳米沟道的人工突触器件的制备方法 [P].

徐文涛 ;

郭科鑫 .

中国专利 :CN114597131A ,2022-06-07

[7]

一种具备纳米沟道的人工突触器件的制备方法 [P].

徐文涛 ;

郭科鑫 .

中国专利 :CN114597131B ,2025-04-22

[8]

一种柔性人工突触器件及其制备方法 [P].

唐振华 ;

张莉 ;

胡松程 ;

姚帝杰 ;

刘志钢 .

中国专利 :CN113161481A ,2021-07-23

[9]

一种光调控纳流体离子晶体管的人工突触器件 [P].

毛兰群 ;

蒋亚楠 ;

王娇 .

中国专利 :CN119312859A ,2025-01-14

[10]

神经元受体介导的人工突触器件及其制备方法 [P].

王开洋 ;

贾芸芳 ;

闫小兵 .

中国专利 :CN113871528A ,2021-12-31

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