一种偏振光敏感的人工突触器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410523113.3

申请日：

2024-04-28

公开(公告)号：

CN118591273A

公开(公告)日：

2024-09-03

发明(设计)人：

王中强陶冶朱永兴徐海阳刘益春

申请人：

东北师范大学

申请人地址：

130022 吉林省长春市南关区人民大街5268号

IPC主分类号：

H10N70/20

IPC分类号：

H10N70/00 C23C14/24 C23C14/16 C23C14/18 G06N3/067

代理机构：

长春市东师专利事务所(普通合伙) 22202

代理人：

张铁生

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

山东省青岛市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/20申请日:20240428
2024-09-03	公开	公开

共 50 条

[1]

人工突触器件和人工突触器件的制备方法 [P].

张珽 ;

陆骐峰 ;

孙富钦 ;

王子豪 .

中国专利 :CN112794279A ,2021-05-14

[2]

离子插层的人工突触器件及其制备方法 [P].

张跃 ;

苏兆洋 ;

廖庆亮 ;

赵璇 ;

荀晓晨 ;

刘菁筱 ;

宣景悦 ;

张珂语 .

中国专利 :CN118382350A ,2024-07-23

[3]

一种铁电极化调控的人工突触器件及其制备方法 [P].

田博博 ;

段纯刚 ;

朱秋香 ;

闫梦阁 .

中国专利 :CN111081875A ,2020-04-28

[4]

一种具备纳米沟道的人工突触器件的制备方法 [P].

徐文涛 ;

郭科鑫 .

中国专利 :CN114597131A ,2022-06-07

[5]

一种具备纳米沟道的人工突触器件的制备方法 [P].

徐文涛 ;

郭科鑫 .

中国专利 :CN114597131B ,2025-04-22

[6]

一种柔性人工突触器件及其制备方法 [P].

唐振华 ;

张莉 ;

胡松程 ;

姚帝杰 ;

刘志钢 .

中国专利 :CN113161481A ,2021-07-23

[7]

一种全光控人工突触器件及其制备方法 [P].

王中强 ;

孟令鑫 ;

林亚 ;

王强 ;

王泽尉 ;

徐海阳 ;

刘益春 .

中国专利 :CN121013642A ,2025-11-25

[8]

神经元受体介导的人工突触器件及其制备方法 [P].

王开洋 ;

贾芸芳 ;

闫小兵 .

中国专利 :CN113871528A ,2021-12-31

[9]

一种提高突触性能的InGaAs纳米线人工突触器件及制备方法 [P].

杨彦斌 ;

申栗繁 .

中国专利 :CN118099264A ,2024-05-28

[10]

一种基于二硫化钼墨水的人工突触器件及其阵列和制备方法 [P].

李自豪 ;

潘书生 .

中国专利 :CN119767925A ,2025-04-04

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