共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
一种基于二维铁电半导体的异源突触电子器件及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010248135.5
申请日：
2020-04-01
公开(公告)号：
CN113497063A
公开(公告)日：
2021-10-12
发明(设计)人：
刘富才
曹桂铭
陈建钢
蒙鹏
刘海石
申请人：
申请人地址：
610000 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
IPC主分类号：
H01L271159
IPC分类号：
代理机构：
成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229
代理人：
郭艳艳
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-10-29 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/1159 申请日:20200401 |
| 2021-10-12 | 公开 | 公开 |