一种基于二维半导体的晶圆级突触电子阵列器件以及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311486844.7

申请日：

2023-11-08

公开(公告)号：

CN117393622A

公开(公告)日：

2024-01-12

发明(设计)人：

刘富才王金勇

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L31/0264

IPC分类号：

H01L31/0352 H01L31/0392 H01L31/02 H01L31/0203 H01L31/0224 H01L31/101 H01L31/18 H01L27/144 G06N3/067

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

引用

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共 50 条

[1]

一种基于二维半导体的光突触电子器件及其制备方法 [P].

刘富才 ;

王金勇 ;

刘庆 .

中国专利 :CN117613133A ,2024-02-27

[2]

一种基于二维半导体的神经突触电子器件及其制备方法 [P].

刘富才 ;

王金勇 ;

王雪梅 ;

刘庆 .

中国专利 :CN117476769A ,2024-01-30

[3]

一种基于二维半导体的光电突触器件阵列及其制备方法 [P].

刘富才 ;

王金勇 .

中国专利 :CN117352519A ,2024-01-05

[4]

一种二维半导体器件及其制备方法 [P].

朱马光 ;

白岩 ;

张凌雨 ;

孙逸夫 ;

何凯悦 .

中国专利 :CN119767741A ,2025-04-04

[5]

一种基于二维铁电半导体的异源突触电子器件及其制备方法 [P].

刘富才 ;

曹桂铭 ;

陈建钢 ;

蒙鹏 ;

刘海石 .

中国专利 :CN113497063B ,2024-02-02

[6]

一种基于二维铁电半导体的异源突触电子器件及其制备方法 [P].

刘富才 ;

曹桂铭 ;

陈建钢 ;

蒙鹏 ;

刘海石 .

中国专利 :CN113497063A ,2021-10-12

[7]

一种基于二维半导体材料的突触晶体管及其制备方法 [P].

杨玉超 ;

朱嘉迪 ;

黄如 .

中国专利 :CN109473549A ,2019-03-15

[8]

一种基于二维半导体材料的CMOS器件及其制备方法 [P].

包文中 .

中国专利 :CN120769559A ,2025-10-10

[9]

一种二维半导体TMDCs晶圆及其制备方法 [P].

郝松 ;

吴家豪 ;

谢啸天 ;

程斌 .

中国专利 :CN121137807A ,2025-12-16

[10]

一种短沟道二维半导体器件制备方法 [P].

周鹏 ;

包文中 ;

夏银 .

中国专利 :CN120812971A ,2025-10-17

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/0264申请日:20231108
2024-01-12	公开	公开