一种二维半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411967551.5

申请日：

2024-12-30

公开(公告)号：

CN119767741A

公开(公告)日：

2025-04-04

发明(设计)人：

朱马光白岩张凌雨孙逸夫何凯悦

申请人：

南京大学

申请人地址：

215163 江苏省苏州市太湖大道1520号

IPC主分类号：

H10D30/60

IPC分类号：

H10D30/01 H10D62/80 H10D64/27 H10D62/10 H10K10/46 H10K85/20 H10K71/00 H10K71/40 H10K71/60

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：

柏尚春

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-04	公开	公开
2025-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/60申请日:20241230

共 50 条

[1]

一种短沟道二维半导体器件制备方法 [P].

周鹏 ;

包文中 ;

夏银 .

中国专利 :CN120812971A ,2025-10-17

[2]

包括二维半导体材料的半导体器件 [P].

李珉贤 ;

薛珉洙 ;

赵连柱 ;

申铉振 .

中国专利 :CN113224144A ,2021-08-06

[3]

一种基于二维半导体材料的CMOS器件及其制备方法 [P].

包文中 .

中国专利 :CN120769559A ,2025-10-10

[4]

包括二维材料的半导体器件及其制造方法 [P].

薛珉洙 ;

权俊荣 ;

柳嬉堤 ;

T·乔杜里 ;

J·朴 ;

C·梁 ;

F·穆吉德 .

韩国专利 :CN120787015A ,2025-10-14

[5]

一种二维半导体材料的金属接触结构及其制备方法 [P].

童领 ;

包文中 ;

马静怡 ;

郭晓娇 ;

陈新宇 ;

夏银 ;

周鹏 ;

张卫 .

中国专利 :CN112466930B ,2024-10-08

[6]

一种二维半导体材料的金属接触结构及其制备方法 [P].

童领 ;

包文中 ;

马静怡 ;

郭晓娇 ;

陈新宇 ;

夏银 ;

周鹏 ;

张卫 .

中国专利 :CN112466930A ,2021-03-09

[7]

一种二维半导体晶体管及其制备方法 [P].

陈鹏 ;

刘贤龙 ;

李宇轩 .

中国专利 :CN119997570A ,2025-05-13

[8]

一种二维半导体晶体管及其制备方法 [P].

陈鹏 ;

刘贤龙 ;

李宇轩 .

中国专利 :CN119997570B ,2025-12-30

[9]

一种二维半导体材料的掺杂方法及掺杂二维半导体材料 [P].

包文中 .

中国专利 :CN121171888A ,2025-12-19

[10]

半导体器件、半导体结构及其制备方法 [P].

白杰 .

中国专利 :CN112885780A ,2021-06-01

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