一种二维半导体晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411197331.9

申请日：

2024-08-29

公开(公告)号：

CN119997570B

公开(公告)日：

2025-12-30

发明(设计)人：

陈鹏刘贤龙李宇轩

申请人：

南方科技大学

申请人地址：

518055 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号

IPC主分类号：

H10D30/67

IPC分类号：

H10D64/62 H10D30/01

代理机构：

深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268

代理人：

王永文

法律状态：

授权

国省代码：

山东省青岛市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-30	授权	授权
2025-05-13	公开	公开
2025-05-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/67申请日:20240829

共 50 条

[1]

一种二维半导体晶体管及其制备方法 [P].

陈鹏 ;

刘贤龙 ;

李宇轩 .

中国专利 :CN119997570A ,2025-05-13

[2]

一种二维半导体晶体管及其制备方法 [P].

陈鹏 ;

李宇轩 ;

刘贤龙 .

中国专利 :CN119317160A ,2025-01-14

[3]

一种二维半导体材料晶体管及其制备方法 [P].

彭雅琳 ;

张广宇 ;

杨蓉 ;

杨威 ;

时东霞 .

中国专利 :CN115621322A ,2023-01-17

[4]

一种基于二维半导体材料薄膜晶体管及其制备方法 [P].

赵天石 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

于水长 .

中国专利 :CN110047915B ,2024-05-03

[5]

一种基于二维半导体材料薄膜晶体管及其制备方法 [P].

赵天石 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

于水长 .

中国专利 :CN110047915A ,2019-07-23

[6]

一种基于二维半导体材料的突触晶体管及其制备方法 [P].

杨玉超 ;

朱嘉迪 ;

黄如 .

中国专利 :CN109473549A ,2019-03-15

[7]

基于二维半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法 [P].

孙富钦 ;

王小伟 ;

张珽 ;

何小钱 ;

周伟凡 .

中国专利 :CN119545866A ,2025-02-28

[8]

基于二维半导体的固态源掺杂方法及二维半导体晶体管 [P].

姜建峰 ;

邱晨光 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN115911105B ,2024-08-02

[9]

一种二维半导体晶体管结构 [P].

包文中 ;

马静怡 ;

郭晓娇 ;

童领 ;

陈新宇 ;

缑赛飞 ;

周鹏 ;

张卫 .

中国专利 :CN214012946U ,2021-08-20

[10]

一种二维半导体垂直型沟道场效应晶体管及制备方法 [P].

熊雄 ;

刘视远 ;

吴燕庆 .

中国专利 :CN117913141A ,2024-04-19

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