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一种二维半导体晶体管及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411197330.4
申请日：
2024-08-29
公开(公告)号：
CN119317160A
公开(公告)日：
2025-01-14
发明(设计)人：
陈鹏 李宇轩 刘贤龙
申请人：
南方科技大学
申请人地址：
518055 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号
IPC主分类号：
H10D30/67
IPC分类号：
H10D30/01
代理机构：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268
代理人：
王永文
法律状态：
公开
国省代码：
山东省 青岛市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-01-14 公开 公开
2025-03-28 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/67申请日:20240829
共 50 条
[1]
一种二维半导体晶体管及其制备方法 [P]. 
陈鹏 ;
刘贤龙 ;
李宇轩 .
中国专利 :CN119997570B ,2025-12-30
[2]
一种二维半导体晶体管及其制备方法 [P]. 
陈鹏 ;
刘贤龙 ;
李宇轩 .
中国专利 :CN119997570A ,2025-05-13
[3]
一种二维半导体材料晶体管及其制备方法 [P]. 
彭雅琳 ;
张广宇 ;
杨蓉 ;
杨威 ;
时东霞 .
中国专利 :CN115621322A ,2023-01-17
[4]
自对准二维半导体轻掺杂漏制备方法及二维半导体晶体管 [P]. 
姜建峰 ;
邱晨光 ;
彭练矛 .
中国专利 :CN116314287B ,2024-06-18
[5]
基于二维半导体的固态源掺杂方法及二维半导体晶体管 [P]. 
姜建峰 ;
邱晨光 ;
彭练矛 .
中国专利 :CN115911105B ,2024-08-02
[6]
一种基于二维半导体材料薄膜晶体管及其制备方法 [P]. 
赵天石 ;
赵春 ;
赵策洲 ;
杨莉 ;
于水长 .
中国专利 :CN110047915B ,2024-05-03
[7]
一种基于二维半导体材料薄膜晶体管及其制备方法 [P]. 
赵天石 ;
赵春 ;
赵策洲 ;
杨莉 ;
于水长 .
中国专利 :CN110047915A ,2019-07-23
[8]
一种基于二维半导体材料的突触晶体管及其制备方法 [P]. 
杨玉超 ;
朱嘉迪 ;
黄如 .
中国专利 :CN109473549A ,2019-03-15
[9]
一种基于二维半导体的浮栅晶体管及其制备方法 [P]. 
李春 ;
孔令康 ;
兰长勇 ;
尹伊 .
中国专利 :CN119050160A ,2024-11-29
[10]
基于二维半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法 [P]. 
孙富钦 ;
王小伟 ;
张珽 ;
何小钱 ;
周伟凡 .
中国专利 :CN119545866A ,2025-02-28
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