基于二维半导体的固态源掺杂方法及二维半导体晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211489343.X

申请日：

2022-11-25

公开(公告)号：

CN115911105B

公开(公告)日：

2024-08-02

发明(设计)人：

姜建峰邱晨光彭练矛

申请人：

北京大学

申请人地址：

100084 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H01L29/40

IPC分类号：

H01L29/41 H01L29/786

代理机构：

北京惟专知识产权代理事务所(普通合伙) 16074

代理人：

赵星

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-02	授权	授权

共 50 条

[1]

自对准二维半导体轻掺杂漏制备方法及二维半导体晶体管 [P].

姜建峰 ;

邱晨光 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN116314287B ,2024-06-18

[2]

一种二维半导体材料的掺杂方法及掺杂二维半导体材料 [P].

包文中 .

中国专利 :CN121171888A ,2025-12-19

[3]

一种二维半导体晶体管结构 [P].

包文中 ;

马静怡 ;

郭晓娇 ;

童领 ;

陈新宇 ;

缑赛飞 ;

周鹏 ;

张卫 .

中国专利 :CN214012946U ,2021-08-20

[4]

基于二维半导体材料的双极性晶体管的制备方法 [P].

周鹏 ;

刘春森 ;

张卫 .

中国专利 :CN107611034A ,2018-01-19

[5]

一种二维半导体晶体管及其制备方法 [P].

陈鹏 ;

刘贤龙 ;

李宇轩 .

中国专利 :CN119997570A ,2025-05-13

[6]

一种二维半导体晶体管及其制备方法 [P].

陈鹏 ;

刘贤龙 ;

李宇轩 .

中国专利 :CN119997570B ,2025-12-30

[7]

一种基于二维半导体材料薄膜晶体管 [P].

袁地 ;

张静 ;

耿会娟 ;

田俊龙 ;

李胜楠 .

中国专利 :CN217114401U ,2022-08-02

[8]

一种基于二维半导体材料薄膜晶体管 [P].

赵天石 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

于水长 .

中国专利 :CN209747517U ,2019-12-06

[9]

二维半导体组件、光电单元与二维半导体组件的制造方法 [P].

陈奕彤 ;

赖映佑 ;

陈俊安 ;

张锌权 ;

李奕贤 .

中国专利 :CN111769201A ,2020-10-13

[10]

二维半导体材料的转移方法 [P].

邓香香 ;

黄春晖 ;

颜泽毅 ;

范斌斌 ;

胡城伟 ;

李晟曼 ;

吴燕庆 .

中国专利 :CN114649200A ,2022-06-21

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