二维半导体组件、光电单元与二维半导体组件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910249434.8

申请日：

2019-03-29

公开(公告)号：

CN111769201A

公开(公告)日：

2020-10-13

发明(设计)人：

陈奕彤赖映佑陈俊安张锌权李奕贤

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市光复路二段101号台达馆T442室

IPC主分类号：

H01L5152

IPC分类号：

H01L5154 H01L5156 H01L3356 H01L2329 H01L2148 H01L310203 H01L31048

代理机构：

深圳德高智行知识产权代理事务所(普通合伙) 44696

代理人：

孙艳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-13	公开	公开
2020-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/52 申请日:20190329

共 50 条

[1]

包括二维半导体材料的半导体器件 [P].

李珉贤 ;

薛珉洙 ;

赵连柱 ;

申铉振 .

中国专利 :CN113224144A ,2021-08-06

[2]

二维半导体材料的转移方法 [P].

邓香香 ;

黄春晖 ;

颜泽毅 ;

范斌斌 ;

胡城伟 ;

李晟曼 ;

吴燕庆 .

中国专利 :CN114649200A ,2022-06-21

[3]

二维半导体材料的转移方法 [P].

邓香香 ;

黄春晖 ;

颜泽毅 ;

范斌斌 ;

胡城伟 ;

李晟曼 ;

吴燕庆 .

中国专利 :CN114649200B ,2024-10-22

[4]

基于二维半导体的固态源掺杂方法及二维半导体晶体管 [P].

姜建峰 ;

邱晨光 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN115911105B ,2024-08-02

[5]

一种二维半导体材料的掺杂方法及掺杂二维半导体材料 [P].

包文中 .

中国专利 :CN121171888A ,2025-12-19

[6]

包括二维材料的半导体器件及其制造方法 [P].

薛珉洙 ;

权俊荣 ;

柳嬉堤 ;

T·乔杜里 ;

J·朴 ;

C·梁 ;

F·穆吉德 .

韩国专利 :CN120787015A ,2025-10-14

[7]

洁净无损的二维半导体材料转移方法 [P].

刁裕博 ;

李虎 .

中国专利 :CN119663434A ,2025-03-21

[8]

低温CVD生长二维半导体材料的方法 [P].

颜泽毅 ;

吴燕庆 ;

黄春晖 ;

胡城伟 .

中国专利 :CN116043192B ,2025-10-14

[9]

自对准二维半导体轻掺杂漏制备方法及二维半导体晶体管 [P].

姜建峰 ;

邱晨光 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN116314287B ,2024-06-18

[10]

二维材料半导体元件 [P].

何焱腾 ;

陈乃榕 .

中国专利 :CN114420755A ,2022-04-29

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