洁净无损的二维半导体材料转移方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510182756.0

申请日：

2025-02-19

公开(公告)号：

CN119663434A

公开(公告)日：

2025-03-21

发明(设计)人：

刁裕博李虎

申请人：

山东齐芯微系统科技股份有限公司

申请人地址：

255000 山东省淄博市淄博高新区政通路135号高科技创业园D座718室(仅限办公用)

IPC主分类号：

C30B25/02

IPC分类号：

C01G39/06 C01G27/02 C30B29/46 B05D1/00 B05D3/02

代理机构：

淄博宇盈知识产权代理有限公司 37502

代理人：

颜亚美

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/02申请日:20250219
2025-03-21	公开	公开

共 50 条

[1]

二维半导体材料的转移方法 [P].

邓香香 ;

黄春晖 ;

颜泽毅 ;

范斌斌 ;

胡城伟 ;

李晟曼 ;

吴燕庆 .

中国专利 :CN114649200A ,2022-06-21

[2]

二维半导体材料的转移方法 [P].

邓香香 ;

黄春晖 ;

颜泽毅 ;

范斌斌 ;

胡城伟 ;

李晟曼 ;

吴燕庆 .

中国专利 :CN114649200B ,2024-10-22

[3]

一种二维半导体薄膜的转移方法 [P].

谭化兵 ;

瞿研 ;

郭冰 .

中国专利 :CN117812981A ,2024-04-02

[4]

包括二维半导体材料的半导体器件 [P].

李珉贤 ;

薛珉洙 ;

赵连柱 ;

申铉振 .

中国专利 :CN113224144A ,2021-08-06

[5]

一种二维半导体材料的掺杂方法及掺杂二维半导体材料 [P].

包文中 .

中国专利 :CN121171888A ,2025-12-19

[6]

包括二维材料的半导体器件及其制造方法 [P].

薛珉洙 ;

权俊荣 ;

柳嬉堤 ;

T·乔杜里 ;

J·朴 ;

C·梁 ;

F·穆吉德 .

韩国专利 :CN120787015A ,2025-10-14

[7]

一种大面积二维半导体材料转移方法 [P].

高庆国 ;

程露 ;

黄子健 ;

曹天凡 ;

刘萍 ;

潘新建 ;

于淼 .

中国专利 :CN118704095A ,2024-09-27

[8]

低温CVD生长二维半导体材料的方法 [P].

颜泽毅 ;

吴燕庆 ;

黄春晖 ;

胡城伟 .

中国专利 :CN116043192B ,2025-10-14

[9]

二维半导体组件、光电单元与二维半导体组件的制造方法 [P].

陈奕彤 ;

赖映佑 ;

陈俊安 ;

张锌权 ;

李奕贤 .

中国专利 :CN111769201A ,2020-10-13

[10]

一种二维半导体材料的金属接触结构 [P].

童领 ;

包文中 ;

马静怡 ;

郭晓娇 ;

陈新宇 ;

夏银 ;

周鹏 ;

张卫 .

中国专利 :CN213782022U ,2021-07-23

← 1 2 3 4 5 →