一种大面积二维半导体材料转移方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410757384.5

申请日：

2024-06-13

公开(公告)号：

CN118704095A

公开(公告)日：

2024-09-27

发明(设计)人：

高庆国程露黄子健曹天凡刘萍潘新建于淼

申请人：

电子科技大学中山学院

申请人地址：

528400 广东省中山市石岐区学院路1号

IPC主分类号：

C30B29/46

IPC分类号：

C30B29/66 C30B35/00

代理机构：

北京一枝笔知识产权代理事务所(普通合伙) 11791

代理人：

郑怿

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省中山市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/46申请日:20240613
2024-09-27	公开	公开

共 50 条

[1]

一种在真空环境下转移大面积二维材料的转移平台 [P].

包文中 ;

张思梦 ;

昝武 ;

周鹏 ;

张卫 .

中国专利 :CN207938577U ,2018-10-02

[2]

二维半导体材料的转移方法 [P].

邓香香 ;

黄春晖 ;

颜泽毅 ;

范斌斌 ;

胡城伟 ;

李晟曼 ;

吴燕庆 .

中国专利 :CN114649200A ,2022-06-21

[3]

二维半导体材料的转移方法 [P].

邓香香 ;

黄春晖 ;

颜泽毅 ;

范斌斌 ;

胡城伟 ;

李晟曼 ;

吴燕庆 .

中国专利 :CN114649200B ,2024-10-22

[4]

一种二维半导体薄膜的转移方法 [P].

谭化兵 ;

瞿研 ;

郭冰 .

中国专利 :CN117812981A ,2024-04-02

[5]

洁净无损的二维半导体材料转移方法 [P].

刁裕博 ;

李虎 .

中国专利 :CN119663434A ,2025-03-21

[6]

一种二维半导体材料的掺杂方法及掺杂二维半导体材料 [P].

包文中 .

中国专利 :CN121171888A ,2025-12-19

[7]

一种大面积半导体材料薄膜的转移印刷方法 [P].

叶楠 ;

郑施冠卿 ;

段浩 ;

陈健 ;

张俊杰 ;

庞拂飞 ;

陈娜 ;

孙晓岚 ;

魏鹤鸣 .

中国专利 :CN120376504A ,2025-07-25

[8]

一种超薄大面积p型二维半导体单晶及其制备方法 [P].

冯丽萍 ;

杨雨龙 ;

王锡桐 ;

张嘉阳 .

中国专利 :CN119082868A ,2024-12-06

[9]

包括二维半导体材料的半导体器件 [P].

李珉贤 ;

薛珉洙 ;

赵连柱 ;

申铉振 .

中国专利 :CN113224144A ,2021-08-06

[10]

一种二维半导体材料相变工程应用 [P].

周鹏 ;

包文中 ;

夏银 .

中国专利 :CN121001559A ,2025-11-21

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