一种大面积半导体材料薄膜的转移印刷方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510289229.X

申请日：

2025-03-12

公开(公告)号：

CN120376504A

公开(公告)日：

2025-07-25

发明(设计)人：

叶楠郑施冠卿段浩陈健张俊杰庞拂飞陈娜孙晓岚魏鹤鸣

申请人：

上海大学

申请人地址：

200444 上海市宝山区上大路99号

IPC主分类号：

H01L21/762

IPC分类号：

H01L21/683

代理机构：

贵州派腾知识产权代理有限公司 52114

代理人：

唐斌

法律状态：

公开

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-25	公开	公开
2025-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/762申请日:20250312

共 50 条

[1]

一种大面积二维半导体材料转移方法 [P].

高庆国 ;

程露 ;

黄子健 ;

曹天凡 ;

刘萍 ;

潘新建 ;

于淼 .

中国专利 :CN118704095A ,2024-09-27

[2]

大面积柔性透明半导体薄膜及其制法和应用 [P].

邢志伟 ;

赵宇坤 ;

边历峰 ;

陆书龙 .

中国专利 :CN113808911A ,2021-12-17

[3]

一种大面积无水转移纳米材料的方法 [P].

李海 ;

冉飞荣 ;

杨鹏 ;

张昊 ;

房向茹 ;

石晓桐 ;

吴诗语 .

中国专利 :CN106744729A ,2017-05-31

[4]

大面积玻璃绝缘底半导体 [P].

K·P·加德卡里 ;

A·M·马约利 .

中国专利 :CN101371347A ,2009-02-18

[5]

一种大面积钙钛矿半导体单晶薄膜的制备方法 [P].

郭桐 ;

冉广照 ;

赵诗琪 ;

田程 ;

李艳平 .

中国专利 :CN112397649A ,2021-02-23

[6]

一种原位大面积合成氧化亚锡半导体光电薄膜材料的方法 [P].

雷岩 ;

谷龙艳 ;

贾会敏 ;

杨晓刚 ;

杨健康 ;

郑露露 ;

郑直 ;

褚君浩 .

中国专利 :CN104934490B ,2015-09-23

[7]

一种大面积制备卤化甲氨铋半导体光电薄膜材料的化学方法 [P].

郑直 ;

余海丽 ;

张卜生 ;

雷岩 ;

杨晓刚 ;

谷龙艳 ;

赵超亮 .

中国专利 :CN109095784A ,2018-12-28

[8]

一种大面积自支撑宽禁带半导体材料的制作方法 [P].

郝跃 ;

张进城 ;

陈军峰 .

中国专利 :CN1959933A ,2007-05-09

[9]

一种均匀大面积无损氢化半导体材料的制备方法、装置及应用 [P].

王晓丹 .

中国专利 :CN118125499A ,2024-06-04

[10]

一种半导体薄膜的转移印刷方法 [P].

张加祥 ;

欧炜文 ;

欧欣 ;

王旭东 ;

朱一帆 .

中国专利 :CN115320271A ,2022-11-11

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