大面积玻璃绝缘底半导体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680050101.3

申请日：

2006-10-26

公开(公告)号：

CN101371347A

公开(公告)日：

2009-02-18

发明(设计)人：

K·P·加德卡里 A·M·马约利

申请人：

申请人地址：

美国纽约州

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

李玲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-18	公开	公开
2009-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-06-15	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101105677045 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2006800501013 公开日:20090218

共 50 条

[1]

大面积制备半导体量子点的方法 [P].

莫晓亮 ;

陈国荣 ;

郑凯波 .

中国专利 :CN103489962B ,2014-01-01

[2]

基于半导体的大面积柔性电子器件 [P].

阿米特·戈亚尔 .

中国专利 :CN101981699A ,2011-02-23

[3]

自上而下制备大面积有机半导体阵列的方法 [P].

胡文平 ;

段树铭 ;

任晓辰 ;

汪涛 ;

耿博文 ;

高雄 ;

张静 .

中国专利 :CN111416041A ,2020-07-14

[4]

大面积有机半导体单晶及其制备方法和应用 [P].

胡文平 ;

汪涛 ;

任晓辰 ;

段树铭 ;

耿博文 ;

高雄 ;

张静 .

中国专利 :CN111394794A ,2020-07-10

[5]

用于大面积半导体芯片的低热应力封装 [P].

R·J·博诺 ;

N·索拉诺 .

中国专利 :CN104471705A ,2015-03-25

[6]

大面积柔性透明半导体薄膜及其制法和应用 [P].

邢志伟 ;

赵宇坤 ;

边历峰 ;

陆书龙 .

中国专利 :CN113808911A ,2021-12-17

[7]

一种半导体设备大面积高精密导热板 [P].

周磊 ;

窦沛静 ;

丁媛 .

中国专利 :CN117440672A ,2024-01-23

[8]

圆晶级大面积半导体纳米片及其制备方法 [P].

潘东 ;

赵建华 .

中国专利 :CN109962010B ,2019-07-02

[9]

一种半导体基片的大面积邦定结构 [P].

许玉方 .

中国专利 :CN203300703U ,2013-11-20

[10]

用于激励大面积半导体光源的激励电路和方法 [P].

拉尔夫·希英 ;

彼得·尼德迈尔 .

中国专利 :CN101578918A ,2009-11-11

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