大面积有机半导体单晶及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910002603.8

申请日：

2019-01-02

公开(公告)号：

CN111394794A

公开(公告)日：

2020-07-10

发明(设计)人：

胡文平汪涛任晓辰段树铭耿博文高雄张静

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号

IPC主分类号：

C30B2954

IPC分类号：

C30B700

代理机构：

天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214

代理人：

李蕊

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-25	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 29/54 申请公布日:20200710
2020-08-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/54 申请日:20190102
2020-07-10	公开	公开

共 50 条

[1]

一种大面积单层单晶畴有机半导体单晶的制备方法 [P].

彭博宇 ;

李寒莹 ;

贾培宇 ;

盛秋月 .

中国专利 :CN118621448A ,2024-09-10

[2]

一种大面积单层单晶畴有机半导体单晶的制备方法 [P].

彭博宇 ;

李寒莹 ;

贾培宇 ;

盛秋月 .

中国专利 :CN118621448B ,2025-02-07

[3]

自上而下制备大面积有机半导体阵列的方法 [P].

胡文平 ;

段树铭 ;

任晓辰 ;

汪涛 ;

耿博文 ;

高雄 ;

张静 .

中国专利 :CN111416041A ,2020-07-14

[4]

一种有机半导体单晶及其制备方法和应用 [P].

刘城芳 ;

王嘉波 ;

李爽 ;

赖文勇 .

中国专利 :CN113638050A ,2021-11-12

[5]

大面积柔性透明半导体薄膜及其制法和应用 [P].

邢志伟 ;

赵宇坤 ;

边历峰 ;

陆书龙 .

中国专利 :CN113808911A ,2021-12-17

[6]

大面积制备半导体量子点的方法 [P].

莫晓亮 ;

陈国荣 ;

郑凯波 .

中国专利 :CN103489962B ,2014-01-01

[7]

大面积玻璃绝缘底半导体 [P].

K·P·加德卡里 ;

A·M·马约利 .

中国专利 :CN101371347A ,2009-02-18

[8]

圆晶级大面积半导体纳米片及其制备方法 [P].

潘东 ;

赵建华 .

中国专利 :CN109962010B ,2019-07-02

[9]

大面积单晶单层石墨烯膜及其制备方法 [P].

朴浩范 ;

金翰秀 ;

尹熙煜 ;

朴仙美 ;

李民镛 .

中国专利 :CN105229196A ,2016-01-06

[10]

有机半导体材料及其制备方法和应用 [P].

周明杰 ;

黄杰 ;

刘辉 .

中国专利 :CN103168044A ,2013-06-19

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