一种大面积单层单晶畴有机半导体单晶的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411099312.2

申请日：

2024-08-12

公开(公告)号：

CN118621448B

公开(公告)日：

2025-02-07

发明(设计)人：

彭博宇李寒莹贾培宇盛秋月

申请人：

浙江大学

申请人地址：

310000 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

C30B29/54

IPC分类号：

C30B7/06

代理机构：

杭州启博专利代理事务所(普通合伙) 33580

代理人：

张丹

法律状态：

公开

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-10	公开	公开
2025-02-07	授权	授权
2024-09-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/54申请日:20240812

共 50 条

[1]

一种大面积单层单晶畴有机半导体单晶的制备方法 [P].

彭博宇 ;

李寒莹 ;

贾培宇 ;

盛秋月 .

中国专利 :CN118621448A ,2024-09-10

[2]

大面积有机半导体单晶及其制备方法和应用 [P].

胡文平 ;

汪涛 ;

任晓辰 ;

段树铭 ;

耿博文 ;

高雄 ;

张静 .

中国专利 :CN111394794A ,2020-07-10

[3]

大面积单晶单层石墨烯膜及其制备方法 [P].

朴浩范 ;

金翰秀 ;

尹熙煜 ;

朴仙美 ;

李民镛 .

中国专利 :CN105229196A ,2016-01-06

[4]

自上而下制备大面积有机半导体阵列的方法 [P].

胡文平 ;

段树铭 ;

任晓辰 ;

汪涛 ;

耿博文 ;

高雄 ;

张静 .

中国专利 :CN111416041A ,2020-07-14

[5]

一种大面积钙钛矿半导体单晶薄膜的制备方法 [P].

郭桐 ;

冉广照 ;

赵诗琪 ;

田程 ;

李艳平 .

中国专利 :CN112397649A ,2021-02-23

[6]

一种大面积超薄二维有机单晶的制备方法 [P].

揭建胜 ;

张秀娟 ;

王金文 .

中国专利 :CN115386961A ,2022-11-25

[7]

一种基于液桥现象制备大面积有机单晶阵列的方法 [P].

王京霞 ;

岳钰琛 ;

江雷 .

中国专利 :CN114808136B ,2024-05-07

[8]

一种基于液桥现象制备大面积有机单晶阵列的方法 [P].

王京霞 ;

岳钰琛 ;

江雷 .

中国专利 :CN114808136A ,2022-07-29

[9]

一种大面积微单晶阵列加工方法 [P].

江亮 ;

屈芙蓉 ;

夏洋 ;

高寒飞 ;

朱忠鹏 ;

杨俊川 ;

谢超 ;

杨宝翔 ;

陈俊豪 ;

张超 .

中国专利 :CN120693042A ,2025-09-23

[10]

有机半导体单晶膜的制备方法 [P].

李荣金 ;

牛智凯 ;

胡文平 .

中国专利 :CN112210249A ,2021-01-12

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