一种基于液桥现象制备大面积有机单晶阵列的方法

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专利类型
发明
申请号
CN202110072185.7
申请日
2021-01-19
公开(公告)号
CN114808136B
公开(公告)日
2024-05-07
发明(设计)人
王京霞 岳钰琛 江雷
申请人
中国科学院理化技术研究所
申请人地址
100190 北京市海淀区中关村东路29号
IPC主分类号
C30B29/54
IPC分类号
C30B7/06 H10K71/12
代理机构
北京正理专利代理有限公司 11257
代理人
高东丽
法律状态
授权
国省代码
北京市
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共 50 条
[1]
一种基于液桥现象制备大面积有机单晶阵列的方法 [P]. 
王京霞 ;
岳钰琛 ;
江雷 .
中国专利 :CN114808136A ,2022-07-29
[2]
一种大面积微单晶阵列加工方法 [P]. 
江亮 ;
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夏洋 ;
高寒飞 ;
朱忠鹏 ;
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谢超 ;
杨宝翔 ;
陈俊豪 ;
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[3]
自上而下制备大面积有机半导体阵列的方法 [P]. 
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[4]
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李寒莹 ;
贾培宇 ;
盛秋月 .
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[5]
一种大面积单层单晶畴有机半导体单晶的制备方法 [P]. 
彭博宇 ;
李寒莹 ;
贾培宇 ;
盛秋月 .
中国专利 :CN118621448B ,2025-02-07
[6]
一种大面积超薄二维有机单晶的制备方法 [P]. 
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中国专利 :CN115386961A ,2022-11-25
[7]
大面积有机半导体单晶及其制备方法和应用 [P]. 
胡文平 ;
汪涛 ;
任晓辰 ;
段树铭 ;
耿博文 ;
高雄 ;
张静 .
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[8]
溶液法制备大面积单一厚度单一取向的超薄有机晶体膜阵列的方法及应用 [P]. 
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[9]
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[10]
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