一种大面积微单晶阵列加工方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510842512.0

申请日：

2025-06-23

公开(公告)号：

CN120693042A

公开(公告)日：

2025-09-23

发明(设计)人：

江亮屈芙蓉夏洋高寒飞朱忠鹏杨俊川谢超杨宝翔陈俊豪张超

申请人：

苏州仿生材料科学与工程中心

申请人地址：

215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城东北区40幢401室

IPC主分类号：

H10K71/12

IPC分类号：

H10K71/50 H01L21/67 H01L21/68

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

丁敏;范晴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10K 71/12申请日:20250623
2025-09-23	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于液桥现象制备大面积有机单晶阵列的方法 [P].

王京霞 ;

岳钰琛 ;

江雷 .

中国专利 :CN114808136A ,2022-07-29

[2]

一种基于液桥现象制备大面积有机单晶阵列的方法 [P].

王京霞 ;

岳钰琛 ;

江雷 .

中国专利 :CN114808136B ,2024-05-07

[3]

一种大面积单层单晶畴有机半导体单晶的制备方法 [P].

彭博宇 ;

李寒莹 ;

贾培宇 ;

盛秋月 .

中国专利 :CN118621448A ,2024-09-10

[4]

一种大面积单层单晶畴有机半导体单晶的制备方法 [P].

彭博宇 ;

李寒莹 ;

贾培宇 ;

盛秋月 .

中国专利 :CN118621448B ,2025-02-07

[5]

自上而下制备大面积有机半导体阵列的方法 [P].

胡文平 ;

段树铭 ;

任晓辰 ;

汪涛 ;

耿博文 ;

高雄 ;

张静 .

中国专利 :CN111416041A ,2020-07-14

[6]

大面积有机半导体单晶及其制备方法和应用 [P].

胡文平 ;

汪涛 ;

任晓辰 ;

段树铭 ;

耿博文 ;

高雄 ;

张静 .

中国专利 :CN111394794A ,2020-07-10

[7]

一种大面积超薄二维有机单晶的制备方法 [P].

揭建胜 ;

张秀娟 ;

王金文 .

中国专利 :CN115386961A ,2022-11-25

[8]

一种阵列电极分时放电大面积工件加工设备及加工方法 [P].

李廷波 .

中国专利 :CN121199256A ,2025-12-26

[9]

大面积单晶金刚石的扩晶方法 [P].

杨珣 ;

张镇峰 ;

单崇新 .

中国专利 :CN119287501A ,2025-01-10

[10]

大面积单晶单层石墨烯膜及其制备方法 [P].

朴浩范 ;

金翰秀 ;

尹熙煜 ;

朴仙美 ;

李民镛 .

中国专利 :CN105229196A ,2016-01-06

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