一种大面积制备卤化甲氨铋半导体光电薄膜材料的化学方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810824004.X

申请日：

2018-07-25

公开(公告)号：

CN109095784A

公开(公告)日：

2018-12-28

发明(设计)人：

郑直余海丽张卜生雷岩杨晓刚谷龙艳赵超亮

申请人：

申请人地址：

461000 河南省许昌市八一路88号许昌学院

IPC主分类号：

C03C1728

IPC分类号：

C03C1742 H01L5142

代理机构：

湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102

代理人：

乔宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C03C 17/28 申请日:20180725
2018-12-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种大面积制备卤化甲胺铅光电薄膜的化学方法 [P].

雷岩 ;

谷龙艳 ;

张磊磊 ;

郑直 ;

杨晓刚 ;

高远浩 ;

铁伟伟 .

中国专利 :CN107245689B ,2017-10-13

[2]

一种原位大面积合成氧化亚锡半导体光电薄膜材料的方法 [P].

雷岩 ;

谷龙艳 ;

贾会敏 ;

杨晓刚 ;

杨健康 ;

郑露露 ;

郑直 ;

褚君浩 .

中国专利 :CN104934490B ,2015-09-23

[3]

一种低温原位控制合成碘铋铜三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法 [P].

郑直 ;

张卜生 ;

雷岩 ;

余海丽 ;

杨晓刚 ;

齐瑞娟 .

中国专利 :CN110660914A ,2020-01-07

[4]

一种大面积半导体材料薄膜的转移印刷方法 [P].

叶楠 ;

郑施冠卿 ;

段浩 ;

陈健 ;

张俊杰 ;

庞拂飞 ;

陈娜 ;

孙晓岚 ;

魏鹤鸣 .

中国专利 :CN120376504A ,2025-07-25

[5]

一种大面积钙钛矿半导体单晶薄膜的制备方法 [P].

郭桐 ;

冉广照 ;

赵诗琪 ;

田程 ;

李艳平 .

中国专利 :CN112397649A ,2021-02-23

[6]

大面积制备半导体量子点的方法 [P].

莫晓亮 ;

陈国荣 ;

郑凯波 .

中国专利 :CN103489962B ,2014-01-01

[7]

p型大面积SnTe纳米薄膜光电材料及其制备方法 [P].

宋立媛 ;

唐利斌 ;

郝群 ;

王静宇 ;

吕浩 ;

何文瑾 ;

李艳辉 ;

俞见云 ;

齐浩泽 ;

王海澎 ;

覃钢 ;

辛永刚 ;

庄继胜 .

中国专利 :CN114934257A ,2022-08-23

[8]

一种室温下原位合成硒化银半导体光电薄膜材料的化学方法 [P].

郑直 ;

王承相 ;

雷岩 ;

魏杰 ;

范丽波 .

中国专利 :CN103145345B ,2013-06-12

[9]

快速大面积制备薄膜材料的装置及设置方法 [P].

施毅 ;

左则文 ;

辛煜 ;

濮林 ;

王军转 ;

张荣 ;

韩平 ;

谢自立 ;

顾书林 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN101158034A ,2008-04-09

[10]

自上而下制备大面积有机半导体阵列的方法 [P].

胡文平 ;

段树铭 ;

任晓辰 ;

汪涛 ;

耿博文 ;

高雄 ;

张静 .

中国专利 :CN111416041A ,2020-07-14

← 1 2 3 4 5 →