一种低温原位控制合成碘铋铜三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810684416.8

申请日：

2018-06-28

公开(公告)号：

CN110660914A

公开(公告)日：

2020-01-07

发明(设计)人：

郑直张卜生雷岩余海丽杨晓刚齐瑞娟

申请人：

申请人地址：

461000 河南省许昌市八一路88号许昌学院

IPC主分类号：

H01L5142

IPC分类号：

H01L5148 C03C1734 C03C1722

代理机构：

湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102

代理人：

乔宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-07	公开	公开
2020-02-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/42 申请日:20180628

共 50 条

[1]

原位控制合成溴铅铯三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法 [P].

郑直 ;

郭立家 ;

刘满营 ;

雷岩 ;

范二闯 .

中国专利 :CN113097385A ,2021-07-09

[2]

原位控制合成溴铅铯三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法 [P].

郑直 ;

郭立家 ;

刘满营 ;

雷岩 ;

范二闯 .

中国专利 :CN113097385B ,2024-08-16

[3]

一种合成溴铜铯三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法 [P].

郑直 ;

郭立家 ;

雷岩 ;

刘满营 ;

范二闯 .

中国专利 :CN115249754B ,2024-07-16

[4]

常温下原位控制合成硫铜银三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法 [P].

郑直 ;

雷岩 ;

范丽波 ;

刘松子 ;

贾会敏 ;

程佳美 .

中国专利 :CN103247718B ,2013-08-14

[5]

一种铜银元素比例可调的碘铜银三元化合物薄膜材料及常温原位控制合成方法 [P].

郑直 ;

董佩哲 ;

雷岩 ;

贾祖孝 ;

宋皓 ;

陈璐 ;

刘松子 .

中国专利 :CN107723661A ,2018-02-23

[6]

一种原位制备纳米硫锡锌铜四元化合物光电薄膜的化学方法 [P].

郑直 ;

翟学珍 ;

张艳鸽 ;

雷岩 ;

法文君 ;

高远浩 .

中国专利 :CN102887539B ,2013-01-23

[7]

一种合成碘化铜锌三元宽带隙化合物半导体薄膜材料的化学方法 [P].

雷岩 ;

谷龙艳 ;

贾祖孝 ;

路凯 ;

张磊磊 ;

铁伟伟 ;

郑直 .

中国专利 :CN106449367A ,2017-02-22

[8]

一种三元化合物半导体薄膜的制备方法 [P].

许佳雄 ;

刘怀远 ;

邱磊 ;

庄楚楠 .

中国专利 :CN110112059B ,2019-08-09

[9]

一种常温原位控制合成硒硫铜三元化合物的化学方法 [P].

郑直 ;

程佳美 ;

雷岩 ;

贾会敏 ;

贺迎迎 ;

陆凯 .

中国专利 :CN104876195A ,2015-09-02

[10]

一种大面积制备卤化甲氨铋半导体光电薄膜材料的化学方法 [P].

郑直 ;

余海丽 ;

张卜生 ;

雷岩 ;

杨晓刚 ;

谷龙艳 ;

赵超亮 .

中国专利 :CN109095784A ,2018-12-28

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