一种常温原位控制合成硒硫铜三元化合物的化学方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510336541.6

申请日：

2015-06-17

公开(公告)号：

CN104876195A

公开(公告)日：

2015-09-02

发明(设计)人：

郑直程佳美雷岩贾会敏贺迎迎陆凯

申请人：

申请人地址：

461000 河南省许昌市八一路88号许昌学院

IPC主分类号：

C01B1900

IPC分类号：

B82Y3000

代理机构：

湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102

代理人：

乔宇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-25	授权	授权
2015-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101627834836 IPC(主分类):C01B 19/00 专利申请号:2015103365416 申请日:20150617
2015-09-02	公开	公开

共 50 条

[1]

常温下原位控制合成硫铜银三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法 [P].

郑直 ;

雷岩 ;

范丽波 ;

刘松子 ;

贾会敏 ;

程佳美 .

中国专利 :CN103247718B ,2013-08-14

[2]

一种铜银元素比例可调的碘铜银三元化合物薄膜材料及常温原位控制合成方法 [P].

郑直 ;

董佩哲 ;

雷岩 ;

贾祖孝 ;

宋皓 ;

陈璐 ;

刘松子 .

中国专利 :CN107723661A ,2018-02-23

[3]

一种低温原位控制合成碘铋铜三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法 [P].

郑直 ;

张卜生 ;

雷岩 ;

余海丽 ;

杨晓刚 ;

齐瑞娟 .

中国专利 :CN110660914A ,2020-01-07

[4]

一种合成溴铜铯三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法 [P].

郑直 ;

郭立家 ;

雷岩 ;

刘满营 ;

范二闯 .

中国专利 :CN115249754B ,2024-07-16

[5]

原位控制合成溴铅铯三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法 [P].

郑直 ;

郭立家 ;

刘满营 ;

雷岩 ;

范二闯 .

中国专利 :CN113097385B ,2024-08-16

[6]

原位控制合成溴铅铯三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法 [P].

郑直 ;

郭立家 ;

刘满营 ;

雷岩 ;

范二闯 .

中国专利 :CN113097385A ,2021-07-09

[7]

一种三元碱金属-铜-硫属化合物单晶纳米材料的合成方法 [P].

胡陈果 ;

李晓燕 ;

张开友 ;

王雪 ;

奚伊 .

中国专利 :CN103243390A ,2013-08-14

[8]

银铜硒三元化合物树枝晶薄膜材料及其制备方法 [P].

郑直 ;

高远浩 ;

李大鹏 ;

李静 ;

贾会敏 ;

张艳鸽 ;

张翼东 .

中国专利 :CN102102224A ,2011-06-22

[9]

一种三元重稀土铜硫族化合物晶体的制备方法 [P].

付远 ;

邱伊健 ;

张友亮 .

中国专利 :CN114031047A ,2022-02-11

[10]

植物酚酸辅助水热合成CTS三元化合物的方法 [P].

霍地 ;

郗海琴 .

中国专利 :CN107364882B ,2017-11-21

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