一种三元重稀土铜硫族化合物晶体的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111489139.3

申请日：

2021-12-08

公开(公告)号：

CN114031047A

公开(公告)日：

2022-02-11

发明(设计)人：

付远邱伊健张友亮

申请人：

申请人地址：

330001 江西省南昌市青山湖区艾溪湖管理处昌东大道7777号

IPC主分类号：

C01B1900

IPC分类号：

C01G300

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 19/00 申请日:20211208
2022-02-11	公开	公开

共 50 条

[1]

一种三元铜硫族化合物CuSbS2半导体纳米材料的制备方法 [P].

于军胜 ;

徐俊杰 ;

孟祥 ;

李璐 .

中国专利 :CN115367797A ,2022-11-22

[2]

一种金属硫族化合物晶体薄膜的制备方法 [P].

刘开辉 ;

刘灿 ;

秦彪 .

中国专利 :CN120193335A ,2025-06-24

[3]

一种三元层状过渡金属硫族化合物的制备方法及其应用 [P].

乔秀清 ;

胡敏 ;

李东升 ;

侯东芳 ;

刘云凌 ;

兰亚乾 ;

卜贤辉 .

中国专利 :CN108383169A ,2018-08-10

[4]

铌-钒-硫三元化合物晶体材料、制备方法及应用 [P].

陈凯 ;

李贾玉 ;

刘站锋 ;

王雨龙 ;

沈梓跃 ;

王磊 ;

杨瞻 .

中国专利 :CN120925080A ,2025-11-11

[5]

一种三元硫属半导体化合物纳米带的制备方法 [P].

蒋阳 ;

李国华 ;

王春 ;

蓝新正 ;

刘新梅 .

中国专利 :CN101503184A ,2009-08-12

[6]

一种二维非化学计量比三元过渡金属硫族化合物纳米片的制备方法 [P].

张中石 ;

孟祥敏 ;

夏静 .

中国专利 :CN119059563A ,2024-12-03

[7]

一种三元环化合物的制备方法 [P].

吕伟 ;

邵平譞 ;

王磊 .

中国专利 :CN112300184B ,2021-02-02

[8]

一种三元化合物半导体薄膜的制备方法 [P].

许佳雄 ;

刘怀远 ;

邱磊 ;

庄楚楠 .

中国专利 :CN110112059B ,2019-08-09

[9]

一种三元碱金属-铜-硫属化合物单晶纳米材料的合成方法 [P].

胡陈果 ;

李晓燕 ;

张开友 ;

王雪 ;

奚伊 .

中国专利 :CN103243390A ,2013-08-14

[10]

一种硫族磷族化合物纳米材料的制备方法 [P].

钱逸泰 ;

王文中 .

中国专利 :CN1251348A ,2000-04-26

← 1 2 3 4 5 →